Способ получения диодных матриц

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К аатОРСКОМЬ СВИДЕтЕЛЬСта

Со«оз Соеетскик

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл. 42m, 14««в

Заявлено 07.111.1964 (¹ 887609/26-24) МПК G 061

УД К 681.142 (088. 8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 18.XII.1965. Бюллетень ¹ 1

Дата опубликования описания 17.II.196á

Автор изобретения

В. И. Савченко

Институт кибернетики АН УССР

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИОДНЪ|Х МАТРИЦ

Способ получения диодных матриц, ««апример, из микроэлектронных а — р — n (р — n — p) матриц, путем подачи напряжения по взаимно перпендикулярным шинам в заданные перекрестия матрицы, отличтощийся тем, что, с целью устранения изолирующих участков в перекрестии и возможности биполярного включения элементов (диодов), подают упомянутое напряжение той или иной полярности с амплитудой, превышающей напряжение лавинного пробоя n — р (р — n)-перехода. с присоединением заявки №

Приоритет

Известны способы получения диодных MBTриц путем подачи напряжения по взаимно перпендикулярным шинам в заданные" перекрестия матрицы.

Предложенный способ отличается тем, что в заданные перекрестия микроэлектронной и — р — и (р — и — p)-матрицы подают напряжение той или иной полярности с амплитудой, превышающей напряжение лавинного пробоя

n — р (р — n) -перехода.

Это позволяет устранить изолирующие участки в перекрестии и получить биполярное включение элементов.

Предмет изобретения