Комплект приспособлений для сборкир — п

Авторы патента:

H01L21 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

l74726

С©юэ Советска

Социалистииеских

Реслублик!

, /

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 23Л.1964 (№ 877765/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Государственный комитет по делам изобретений и еткрытий СССР

МП К-31 4М4вЂ”

Опубликовано 07.IX.1965. Бюллетень № 18

УДК 621.382.3.002.72 (088.8) Дата опубликования описания 23.XI.1965

Авторы изобретения

Е. А. Маторный и П. М. Художников

Заявитель

КОМПЛЕКТ ПРИСПОСОБЛЕНИИ ДЛЯ СБОРКИ р вЂ” и ПЕРЕХОДОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Шаблон для загрузки кристаллодержателей выполнен с продольными пазами, соответствующими установочным размерам кристаллодержателей, и с продольными направляю5 щими для перемещения кристаллодержателей при загрузке кассеты.

Предложенный комплект позволяет повысить производительность труда и качество изготовления триодов.

На фиг. 1 изображен шаблон для установки электродов коллектора и эмиттера; на фиг. 2 вЂ” шаблон для загрузки уголковых кристаллодержателей.

В комплект входят шаблон для установки

15 полупроводниковых кристаллов, кассета для вплавления переходов, шаблон для установки электродов коллектора и эмиттера и их загрузки в кассету, выталкиватель сплавленных переходов, кассета для приплавления кри20 сталлодержателей к кристаллам с р вЂ” n переходами, шаблон для загрузки уголковых кристаллодержателей в кассету для сплавления.

Шаблон для установки электродов коллектора и эмиттера имеет пространство 1 для

25 заполнения электродами, отверстия (гнезда) 2 для распределения электродов, углубление 8 для хранения излишних электродов, затвор 4 для пропуска установленных электродов в кассету вплавления.

30 Шаблон для загрузки уголковых кристаллоПодписная группа № 97

Известен комплект приспособлений для сборки р вЂ” и переходов полупроводниковых приборов путем групповой загрузки элементов сборки триода в кассету при помощи загрузочных шаблонов, выполненный в единой координатной системе для всех элементов сборки, входящих в собираемый триод. Комплект состоит из шаблона для установки полупроводниковых кристаллов, кассеты для вплавления переходов, шаблона для установки электродов коллектора и эмиттера и их загрузки в кассету, выталкивателя сплавленных элементов, кассеты для приплавления кристаллодержателей к кристаллам с р вЂ” п переходами, шаблона для загрузки уголковых кристаллодержателей в кассету для сплавления.

В предложенном комплекте шаблон для загрузки электродных материалов выполнен стыкующимся с кассетой для вплавления элементов триода, а шаблон для загрузки кристаллодержателей вЂ” стыкующимся с кассетой для приплавления кристаллодержателей.

В шаблоне для загрузки электродных материалов, имеющем пространство для заполнения электродами и сквозные отверстия для распределения электродов, созданы углублейия для хранения излишних электродов, а также затвор для пропуска электродов в загружаемую кассету, Aym а/ // а

Кл. 21g 11д

174726 держателей (см. фиг. 2) имеет продольные пазы 5, соответствующие установочным размерам кристаллодержателей, и продольные направляющие б для перемещения кристаллодержателей при загрузке кассеты.

Сборка переходов полупроводниковых приборов в кассету осуществляется следующим образом. После установления полупроводниковых кристаллов в кассете сплавления в нее загружают при помощи шаблона электроды эмиттера или коллектора (разница между шаблонами для электродов эмиттера и коллектора в диаметрах отверстий 2), для чего в шаблон (см, фиг. 1) насыпают в пространство 1, с излишком электроды эмиттера (коллектора). При горизонтальном перемещении ь руке или на виброплощадке электродами заполняются отверстия 2, а лишние электроды ссыпаются в углубление 8. Собранную кассету с установленными кристаллами подставляют под шаблон, нажимают на затвор 4, открывающий отверстия 2 для пропуска электродов, и электроды заполняют отверстия в кассете сплавления. После этого шаблон снимают с кассеты, которую направляют в печь для вплавления. После вплавления кассету поворачивают на 180 и описанным выше путем загружают второй электрод.

После помещения готовых р вЂ” п переходов в кассету для приплавления кристаллодержателей пазы 5 шаблона при помощи вибробункера заполняют уголковыми (оловянированными) кристаллодержателями. Заполненный кристаллодержателями шаблон накладывают на кассету с готовыми переходами, чтобы пазы 5 трафарета совпадали с пазами кассеты.

При перемещении шаблона кристаллодержатели, двигаясь по направляющим б, попадают в гнезда кассеты. Кассету, закрытую крышкой, направляют в печь для приплавления кристаллодержателей, Предмет изобретения

1. Комплект приспособлений для сборки р вЂ” и переходов полупроводниковых приборов

5 путем групповой загрузки элементов сборки триода в кассету при помощи загрузочных шаблонов, выполненный в единой координатной системе для всех элементов сборки, входящих в собираемый триод, и состоя 0 щий из шаблона для установки полупроводниковых кристаллов, кассеты для вплавления переходов, шаблона для установки электродов коллектора и эмиттера и их загрузки в кассету, выталкивателя сплавленных элемен15 тов, кассеты для приплавления кристаллодержателей к кристаллам с р вЂ” n переходами, шаблона для загрузки уголковых кристаллодержателей в кассету для сплавления, отличив вившийся тем, что, с целью повышения произ20 водительности труда и качества изготовления триодов, шаблон для загрузки электродных материалов выполнен стыкующимся с кассетой для вплавления электродов триода, а шаблон для загрузки кристаллодержателей

25 выполнен стыкующимся с кассетой для приплавления кристаллодержателей.

2. Комплект приспособлений по п. 1, отличаюи1ийся тем, что в шаблоне для загрузки электродных материалов, имеющем простран30 ство для заполнения электродами и сквозные отверстия для распределения электродов, созданы углубления для хранения излишних электродов, а также затвор для пропуска электродов в загружаемую кассету.

35 3. Комплект приспособлений по п. 1, отличаюи1ийся тем, что шаблон для загрузки кристалл одержателей выполнен с продольными пазами, соответствующими установочным размерам кристаллодержателей, и с продольны40 ми направляющими для перемещения кристаллодержателей при загрузке кассеты,

Способ изготовления омических контактоввсгсц»я11>&|1 .ffm^m^^т*фб:';щ1?а(а„. // 174276

Способ стробоскопического наблюдения // 172406

Устройство для многократной фотолитографической обработки полупроводниковых материалов // 172405

Приспособление для загрузки в кассету кристаллов полупроводниковых приборов // 170581

Автомат для травления // 170123

Патент 170122 // 170122

Вентильный фотоэлемент // 168370

Станок для обрезки и плющения выводов ножки полупроводниковых триодов // 167255

Измеритель физических свойств материалов на сеч // 166763

Способ формирования пленки карбида кремния на подложке // 2100870

Способ изготовления биполярных полупроводниковых приборов // 2100871

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Способ обработки лавинных диодов // 2100872

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Способ изготовления интегральных схем на моп-транзисторах // 2100873

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ нанесения пленок // 2102814

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ легирования твердого тела // 2102816

Способ изготовления полупроводниковых структур // 2102817

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией