Приспособление для загрузки в кассету кристаллов полупроводниковых приборов

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

+.:

Зависимое от авт. свидетельства №

МЮ Ь б © з g g/ Ð g

Кл. 21g 11, Заявлено 17.Х.1963 (№ 861417/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 23.1Ъ .1965. Бюллетень № 9

Дата опубликования описания 7Л .1965

Государственный комитет по делам изобретений к открытий СССР

МНК-М: ФЙ:

УДК 66.042.17:621.382.

032.27 (088.8) Авторы изобретения

Е. Л. Суховский, Г. Г. Чукалин, В. H. Максимюк, Э. В. Ведонский---н Ю. Л. Дек

Предприятие Государственного комитета по электронной, gg r а >, технике СССР (« 1

Заявитель

ПРИСПОСОБЛЕНИЕ ДЛЯ ЗАГРУЗКИ В КАССЕТУ КРИСТАЛЛОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ!Х ПРИБОРОВ

Подписная группа Лю 97

Известны загрузочные устройства, которые имеют вибролоток с канавками.

Предложенное приспособление отличается от известных тем, что установленный над кассетой вибролоток съемный и в каждой канавке имеются гнезда с отверстием, через которое осуществляется вакуумный присос кристаллов, заполняющих гнезда.

На чертеже показана конструкция предложенного приспособления. 10

Оно состоит из стола 1, на котором устанавливается корпус 2 с отверстиями и лоток 3 с гнездами 4 (диаметр 2 л л, глубина 0,3 ни), через отверстия в последних происходит вакуумный присос кристаллов. Через гибкий 15 шланг б корпус 2 соединяется с форвакуумным насосом б типа РВН-20.

Кристаллы насыпаются на лоток 8, включается вибратор и детали начинают двигаться по поверхности лотка, заполняя при этом 20 гнезда 4. Как только все гнезда заполнятся деталями, открывают клапан 7, соединяют форвакуумный насос с корпусом, в котором создается вакуум и детали присасываются к гнездам 4. Далее лоток снимается с устано- 25 вочных штифтов Р, переворачивается на 180" и устанавливается на кронштейны 9. Лишние детали ссыпаются в желоб 10, а в каждом гнезде 4 остается по одной детали. Затем лоток устанавливается снова на вибростоле деталями вниз. Таким образом, поверхность лотка обращена к направляющей решетке 11 и плотно прижимается к ней зажимами 12.

Форвакуумный насос при закрытом клапане б отсоединяется от корпуса, в котором создается атмосферное давление. При этом детали отрываются из гнезд лотка н, пролетая через сквозные отверстия направляющей решетки

11, попадают в гнезда кассеты 18.

Предмет изобретения

Приспособление для загрузки в кассету кристаллов полупроводниковых приборов, включающее электромагнитный вибропрнвод, форвакуумный насос и впбролоток с канавками, отлича ощееся тем, что, с целью механизации процесса загрузки кристаллов в кассету, установленный над кассетой впбролоток выполнен съемным и в каждой канавке сделаны гнезда с отверстием, через которое осуществляется вакуумный присос кристаллов, заполняюших гнезда.

170581 я п

Составитель Р. Акопян

Редактор П. Вербова Техред А. А. Камышникова Корректор О. Б. Тюрина

Заказ 923(6 Тираж 1550 Формат бум. 60><90 /з Объем 0,16 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр, Сапунова, 2

Приспособление для загрузки в кассету кристаллов полупроводниковых приборов Приспособление для загрузки в кассету кристаллов полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Н. в. в. н. // 165835

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх