Устройство для многократной фотолитографической обработки полупроводниковых материалов

)72И5

П р С,Т:.I с т I!;3 ) ) () с т с í!! я

r р>!Ф, 1ф

"й и (.()стт)(3(IT2. If> Р. Г. Акопян

Гс(пf(T(7(: Б. А. 13!чей ;ер(3(ап Техреду A. Л .Vari )i))t)ккова 1(оррсктор О. И. Попова

Зппвз 207>(„> Т:>ра)к 1575 (1>()р)(()т б)т!. 60У;90(2>8 С,б . 0.13 пзп. 7ь Ыспа 5 коп.

Ц11Р)1!П1>1 Г(7(3;((Iрстпеппого of>:II; >2 пи,(с !(()! псобпс(аппп!й и 0(7 ()ь,-.tlé C(CÐ

:> (()скзя, 1„!сот(;, пр. C((7()r;;!, Т(п(ографп)(, пр. C«fty»uf)t), 2! . «C I t70Ii CТl30:,"Ë)1 (l ll0 i 01()) атио!1 ФОТО 7ИТО!

1);-:(,):;>!Соко!! (75))а(:отки 0(7.!у(ро.30,(ttt:ê(;(30!

2 (С f)!i <7!3, !12 !Ij) It.>i01),,(.(И И()С.(С.(01321 СЛ 1: .10.i 2 l I CС:: > и >) l!CУП Кс(Пl) И П 2(ОТО(>.7СП(i li Ti)C)),! >"; С. ((. !. Со I()) >Ха П (СС К()о)7, !. П 2ТП !>П(С 1 ОЛ С

I!();;.7;):> I((ii,(! )1 >l, 12СТ!i Ill>!, П П(>и»(О 12CÎС, П(а(0I! C !i(! С>1 >, (!)()Ò021:СП С Ппj) OI32t, tt!t, OT.(22>2C2)C)22>(>СО. 2 т . -1, !ТО, С ЦС,(1 10 !1!) С;!OTi3)) а и;С II II!t (>(С;;2i. :i "сс:I!. I ()врс)к;(с(!111! соll))т! ас Iы. ; э. lс-! >i . .Т(, 13.:> а. ):> 3! СР, It(7;i >>I I )>01>о ill П (.(713 !. . ПЛ clCi 1: П;! C() 3 i>!C! 32 0 3(èt:> . CË! 0t1 !It>l 10 2ОЛ () ПО!> 2 также обсспс>!е(II. я т )! H()cTII совмс(псl!11;t к) периферии обраоатв(гаем()й и 72cTIIltht, и 30орд(!патио:>! столе рас.!Оло кспы выво.;::!ыс каПаЛЫ I!IIC2) 0CÈCTCÌI>t, С()С(ИПСПН!>!(С П:!СВМОнасосом.

2. Уст))01 :.Ст(30 по II. ), Отлиа)ои)еасоф тсм, IТО, С (iСCЛI>10 ООСС(! С "IСI! Ii l 1302(>(0)КПОCT(1 ООР2— бот! .и ., Ioc! .èë II.>2ñò lif пс))Я!300!! т(. I(II, 1:i;>I

В а П Р И. >! С j) КЛ И П О О 0)) 2 В> П (>!. (, 110, (Л 0)К К 2;(т! И> П.7 2СТI! I I I>I В> ЫИОЛ II (> I i 2 13 1)ИЛ(-. I i (!Ë ) C() ÑР Ь!, П ) С К):. (с!1 . )) 1 1 С Т С 1 1 С 1 1 1 1 С 13 0 О !) 7, Ы О T i 1 (7 С >"1 " .." "t- i I 0 ., (7 J) Д I . I !: ПП О! О СТОЛ 2.