Способ измерения внутренних тепловых параметров транзисторов
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Кл. 21а>, 71
21д, 11о>
Заявлено 03Л 1.1963 (Л" 839918/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
МПК 6 01г
I 0ll
УДК 621.317.3: 621.382.3 (088.8) Государственный комитет ло делас изобретений и открытий СССР
Опубликовано 17.111.1965. Бюллетень № 7
Дата опубликования описания 11 VI.1965
Автор изобретения
Ф. К. Кузнецов
Заявитель
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВНУТРЕННИХ ТЕПЛОВЫХ
ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ
Подписная группа Лб 89
Известные способы измерения внутренних тепловых параметров транзисторов, основанные на осциллографическом определении электрических параметров термочувствительного элемента транзистора, например его коллекторного перехода, при отключенном эмиттере весьма трудоемки, так как требуют предварительного снятия температурной зависимости термочувствительного параметра.
Описываемый способ отличается от известных тем, что в качестве контролируемого параметра тер мочувствительного элемента использовано прямое ",àäåíèå напряжения на коллекторном р — n-переходе, которое в процессе испытания различных образцов транзисторов поддерживают постоянным, регулируя величину прямого тока через коллекторный переход. Тепловые параметры транзисторов определяют по усредненной температурной характеристике. Это позволяет упростить способ.
На чертеже изображена принципиальная схема устройства для измерения внутренних тепловых параметров транзистора.
Испытуемый транзистор 1 включают по схеме с общей базой. Для коммутации цепей эмиттера и коллектора служит коммутатор 2. Диод 8 при этом закрыт отрицательным напряжением источника, подключенного к зажимам 4, а дпсд б открыт и шунтирует вход осциллографа, подключенного к зажимам б.
Остаточное падение напряжения на диоде 5 компенсируется напряжением, подаваемым на;него от источника, подключенного к зажимам 7. Переключение транзистора 1 в режим измерения производится коммутатором 2, контакты 8 которого размыкаются, )0 разрывая цепь эмиттера. При этом диод 3 открывается, а диод б закрывается и уже не шунтирует вход осциллографа. Прямое падение напряжения на коллекторном переходе измеряется по отклонению луча осциллограj5 фа, на экран которого наложена прозрачная сетка с нанесенной на нее усредненной температурной характеристикой, справедливой для значительного числа транзисторов различных типов. Шкала сетки проградуирована непо20 средственно в градусах. До начала измерений, регулируя величину прямого тока через коллекторный переход, сопротивлением 9 устанавливают луч осциллографа на риску шкалы, соответствующую окружающей тем25 пературе. Затем транзистор включают в цепь источника питания и, регулируя сопротивлением 10, получают заданную величину мощности рассеяния на коллекторе. Переключив транзистор коммугатором 2 в режим измере30 ния наблюдают на экране осциллографа
169579
Составитель Ю. Козлов
Редактор П. Шлайн Техред Ю. В. Баранов Корректор Л. В. Тюниева
Заказ 1127/3 Тираж 1225 Формат бум. 60;к,90 /з Объем 0,16 изд. л. Цена 5 коп.
ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типографии, пр. Сапунова, д. 2 изображение переходного теплового процесса, по которому производят отсчет. По шкале сетки определяют разность температур коллекторного р — n-перехода и корпуса транзистора и расчетным путем находят тепловое сопротивление транзистора.
Прп описанном способе не требуется снимать температурную характеристику термочувствительного параметра, индивидуального для каждого испытуемого транзистора, т. е. существенно упрощается процесс измерения.
Предмет изобретения
Способ измерения внутренних тепловых параметров транзисторов, основанный на осциллографическом определении электрических параметров термочувствительного элемента транзистора, например коллекторного перехода, при отключенной цепи эмиттера, 5 отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, в качестве контролируемого параметра термочувствительного элемента использовано прямое падение напряжения на коллекторном р — n-переходе, которое в процессе ис10 пытания различных образцов транзисторов поддерживают постоянным регулировкой величины прямого тока через коллекторный переход, а тепловые параметры транзисторов определяют по их усредненной температур15 ной характеристике.
