Способ закрепления полупроводниковых пластин, преимущественно при механической обработке их поверхности
Изобретение может быть использовано в электронной промышленности при производстве полупроводниковых интегральных микросхем. Цель - повышение надежности закрепления полупроводниковых пластин (ППП) путем увеличения равномерности прижима ППП к подложке - достигается тем, что при размещении ППП на подложке каждую ППП устанавливают соосно электродам таким образом, чтобы контур пластины находился на поверхности, ограниченной внешним диаметром наружного электрода. Способ исключает многократный разогрев и охлаждение, приклеивание и очистку ППП, потребность в наклеечных составах и токсичных взрывоопасных растворителях. 2 ил.
Изобретение относится к способам закрепления полупроводниковых пластин преимущественно при механической обработке их поверхности и может быть использовано в электронной промышленности при производстве полупроводниковых интегральных микросхем. Цель изобретения повышение надежности закрепления путем увеличения прижима пластины к подложке. Способ поясняется фиг. 1 и 2. Устройство для осуществления предлагаемого способа содержит корпус 1, уплотнитель 2, крышку 3, планшайбу 4 с электродами 5, 6, расположенными попарно коаксиально один относительно другого и соединенными через коммутатор 7 с источником напряжения питания 8. Обрабатываемые пластины закреплены на поверхности полимерного диэлектрика 9, расположенного на планшайбе и закрепленного кольцом 10. Способ осуществляется следующим образом. На поверхность полимерного пленочного покрытия 9 помещаются обрабатываемые полупроводниковые пластины 11 таким образом, чтобы каждая пластина располагалась над своими планарными электродами соосно с ними и контуры внешних планарных электродов выступали за контуры пластины. При этом полимерный пленочный материал закрепляется на корпусе 1 кольцом 10. Через коммутатор 7 включается источник напряжения питания. За счет сил электростатического взаимодействия происходит надежное закрепление пластин. При отключении выключателя источник питания и детали снимаются с поверхности полимерного пленочного материала. Способ был осуществлен при полировании пластин кремния марки КДБ 10 диаметром 100 мм, толщиной 290 мкм на станке Ю1М3 с помощью закрепляющего устройства диаметром 320 мм, на котором размещалось 7 пластин, и пластин арсенида галлия марки АГЧПХ-40ау, диаметром 40 мм и толщиной 300 мкм на станке В1М3 с помощью закрепляющего устройства диаметром 170 мм, на котором размещалось 10 пластин. Величина съема материала составила 8 11 мкм. Испытания способа на операциях шлифования и полирования пластин из Si и GaAs показали высокую надежность закрепления и отсутствие попадания жидкости на нерабочую сторону обрабатываемых пластин. Использование способа закрепления полупроводниковых пластин преимущественно при механической обработке их поверхности позволит избавиться от приклеивания пластин и сократить вспомогательное время на 1,5 ч. При этом исключается многократный разогрев и охлаждение, приклеивание и очистка пластин, потребность в наклеечных составах и токсичных, взрывоопасных растворителях.
Формула изобретения
Способ закрепления полупроводниковых пластин преимущественно при механической обработке их поверхности, включающий размещение полупроводниковых пластин на подложке с электродами, покрытой полимерной пленкой, осуществление прижима пластины к подложке путем подачи напряжения на электроды, расположенные попарно коаксиально один относительно другого, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности закрепления путем увеличения равномерности прижима пластины к подложке, при размещении полупроводниковых пластин на подложке каждую пластину устанавливают соосно с электродами таким образом, чтобы контур пластины находился на поверхности, ограниченной внешним диаметром наружного электрода.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2
