Держатель подложки, преимущественно для проведения жидкофазной эпитаксии полупроводниковых материалов
Держатель подложки, преимущественно для проведения жидкофазной эпитаксии полупроводниковых материалов, содержащий втулку, опорный диск и стержни с установленными на них фиксаторами подложки, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей, он снабжен проволочной обвязкой, втулка закреплен на опорном диске, стержни выполнены в виде консольно закрепленных на опорном диске упругих пластин, а фиксаторы подложки размещены в геометрической плоскости, наклонной к геометрической оси втулки и опорного диска, причем на концах упругих пластин выполнены загибы в форме крючка с возможностью размещения на них проволочной обвязки.
Похожие патенты:
Сервопривод // 1451786
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано для испытания полупроводниковых
Изобретение относится к электронике
Устройство для присоединения кристаллов // 1428131
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к технологическому оборудованию для присоединения кристаллов к корпусам
Захват // 1381620
Изобретение относится к робототехнике и может быть использовано в качестве захвата при производстве полупроводниковых микроприборов и интегральных схем для манипулирования деталями типа пластины, имеющими невысокую механическую прочность и небольшую массу
Спутник-носитель для интегральных микросхем // 1380547
Способ сборки многозондовой головки // 1272378
Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники
Тара-спутник // 1264782
Устройство для жидкофазной эпитаксии // 1306175
Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур, и может быть использовано при производстве светоизлучающих приборов
Способ получения эпитаксиальных слоев sic // 1266253
Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано при выращивании монокристаллических слоев карбида кремния, пригодных для создания на их основе электронных приборов
Способ получения структур на основе кремния // 1088417
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для производства полупроводниковых приборов и интегральных схем различного назначения
Устройство для электрожидкостной эпитаксии // 1059031
Устройство для жидкостной эпитаксии // 938642