Термокомпенсатор мощных кремниевых полупроводниковых приборов
Термокомпенсатор мощных кремниевых полупроводниковых приборов, содержащий графитовое основание с приповерхностным слоем из карбида кремния, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей термокомпенсатора за счет увеличения его смачиваемости алюминием и сплавами на основе алюминия, приповерхностный слой дополнительно пропитан кремнием с концентрацией по привесу 1 10-3 - 2,5
10-2 г/см2 поверхности.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к устройствам для соединения полупроводников с диэлектриками
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к способам присоединения полупроводников к стеклянным держателям
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам пайки кристалла к основанию и выводам, и может быть использовано в электронике и электротехнике
Способ монтажа кристаллов на основания // 865071
Способ сборки полупроводниковых приборов // 730202
Изобретение относится к полупроводниковому производству и может быть использовано для присоединения полупроводниковых кристаллов с внутренними выводами к кристаллодержателю или к рамке с внешними выводами
Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем безфлюсовой пайки и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпуса полупроводниковых приборов путем пайки припоями на основе свинца
Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора // 2173913
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем
Устройство для монтажа кристалла // 2194337
Изобретение относится к модулю для бесконтактных чип-карт или систем идентификации
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способу сборки полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающему пайку кремниевого кристалла к основанию корпуса с образованием эвтектики золото - кремний
Способ посадки кремниевого кристалла // 2359360
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к способу и устройству неразъемного соединения интегральных цепей с субстратом