Способ получения кремния
Способ относится к технологии получешм пленок из разделенных изотопов элементов для ядерно-физических исследований, а именно пленок изотопов кремния с атомным весом 28- 30 у.е. и позволяет снизить потери изотопа кремния и упростить процесс. Шихту, содержащую оксид кремния и бор, прессуют, нагревают в вакууме до 1800i20K и выдерживают до полной отгонки оксида бора. Для получения мкш1еней для ядерно-физ1гческих исследований после выдержки кремний испаряют при 670i20K в вакууме и осаждают на холодные подложки I з.п, ф-лы„с S
(5I)5 С 30 В 29/06, 23/02
3 t. 5)>t h
"i:ÃßII !
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ химической рса .ц)<ей.
3810 3+ 4 — 381 + 2В Оз е " >
4 1 СОЮЗ СОВЕТСНИХ
)"- .=.. СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
4 -. Г- РЕСПУБЛИН
>в>-- =--л<
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
Н А BTOPCHOIVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 07. 01. 91. Б)<>л. И I (2l) 4365473/26 (22) 14 ° 01.88 (72) Т, С „Назарова, Е.О. Бабll>l си и Л„Г.Страшинский (53) 621.315 529(088,8) (56) 11ашельский A. Я. Тех<<алогия полупроводник оьч,)х ма териалов . M.: Металлургия, 1972, с.338.
Hinn L.М. Same Methods апсl Problems аззосialссl with Makin8 1!33
Si.lit:on 2Н-29 1.агс1с ts. — Washi nyt nn !!пав . -Scа1.с (USA) N»e1е>>г Рhrjs i га
I,а1>., 1983, р, 15 — пр<>т<) Гlкп.
С<<агап От <оситcH к т< х><алан)<и tinлУ 1< IIIIH Il I< <и>.: иа Разл«лс )1)ч> Гх Itt
2 п<- в " -,, i толщи)н>и I O — 50 мкг/rlt, и< обхс>;1»>чых, Il час filoñòè, Дл)< исследавания реакции рад»а<(1<О)111<>1о захг1 та: ратанов ядрами wpeP
6-8 МэВ. Kpn)te того, способ может бь1ть исполь >он 3Н при получении чистого крем):.ия для рентгеновских фильтрав, Целью изобретения Hp. IHe TcH поныIIIEHHe чистоты кремния, увеличение его выхода и упрощение процесса.
П р и м с р I . Получают кремний из сырья, обагащеннс,го изотопами Вд
2 tI ° (54) С1!ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ (57) Способ Относится к технологии
ПОЛУЧСН1<Я ПЛЕНОК lta РаЗДЕЛЕННЫХ ИЗОтопав элементов для ядерно-физических исследований, а именно пленок изотопов кремния с атомным несом 2830 у.е. и позволяет снизить потери изотопа кремния и упростить процесс.
Шихту, содержащую оксид кремния и бор, прессуют, нагревают н вакууме до 1800 20К и выдерживают до полной отгонки Оксида бора. Для получения
vftIIIeI3eIt для ядерно-физических исследований после выдержки кремний испаряют при !670+20К в вакууме и осаждают на холодные подложки. I 3.п, ф-лы.
И и Si. Вначале рассчитывают необходимые количества исходнь)х оксидов кремHHH и бора для стехиометрического coom)3ciitettt3H их в соответствии с
На аналитических весах отмеряют исходное рассчитанное количество оксида кремния 0,050 г и соответствующее количество аморфного порошкоббразного бора 0 010 r. Компоненты тщательно перемешивают в агатовой ступке и образовавшуюся шихту засыпают в пресс-форму, где прессуют с усилием 8-10 т/см . Полученную таблетку
2 диаметром 7 мм помещают в танталовый реактор и в вакуумную камеру, которую откачива1от до давления I -1О 4!1а. При установке реактора напротив его отФормула и з о б р е т е н и я
Преимущества предлагаемого способа по сравнению со способом-прототипом, заключается в том, что предлагаемый способ позволяет получить нэ эдеме(тарного кремния мишени, фильтСоставитель Б. Безбородова
Редактор !!. Самерханова Техред Л.Ол((йнык Корректор Т. Палии
Заказ 673 Тираж 254 Подписное
В1!ИИПИ Государственного комитета ло иэо(>ретениям и открытиям лри ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушекая наб., л. 475
Производственно-иэдательений комбинат Патент", r. ужгород, ул. ë гарина, 1() l
3 131579 верстия располагают подложку для чистого кремния.
Реактор изготавливают иэ тантала с толщиной стенок 50 мкм. Применяют
5 токовый нагрев. Подложку изготавливают из тантала. Помещенную в реактор таблетку из оксида кремния и бора вначале обезгаживают при температуре 1000-1100 К и давлении в вакуум- lp ной камере 10 Па, затем температуру реактора поднимают до температуры протекания реакции восстановления и отгонки образующейся окиси бора (Т=
=1400 К) и проводят выдержку при этой !5 температуре.
После восстановления кремния и отгонкп окиси бора над реактором размещают подложку. Температуру реактора повышают до 1670 К и поддерживают 20 до конца испарения всего кремния.Толшину пленки кремния на подложке опре" деляют по массе пленки. Реакторы используют многократно. Восстановленный кремний получают в виде компактной таблетки, которая иэ-эа точечных контактов со стенками реактора и температуры 1670 К, не допускающей расплавление кремния, не проплавляет реактор.
5 4 ры, пороговые детекторы повышенной чистоты и высокого качества, исключая многооперационность, Более высокое качество выражается в том, что чистота кремния соответствует требованиям ядерно-физического эксперимента. Технологический процесс исключает воэможность внесения дополнительных примесей в получаемый кремний, Потери изотопа кремния при использовании способа по изобретению 5-107., т.е. в 5-8 раз меньше, чем по способу-прототипу.
1. Способ полученйя кремния,включающий нагрев прессованной шихты, содержащей оксид кремния и восстановитень, и последующую выдержку, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения чистоты кремния,увеличения его выхода и упрощения процесса, в качестве восстановителя используют бор, нагрев ведут до 1400 + 20К, а выдержку проводят до полной отгонки оксида бора, 2. Способ по п.l о т л и ч а ющ и и r я тем, что, с целью обеспечен((я воэможности изготовления мише(ей для ядерно-физических исследований после выдержки кремний испаряют при 1670 20К в вакууме и осаждают на холодные подложк((.
