Способ обработки кремния
Авторы патента:
Способ обработки кремния путем облучения его поверхности пучком ионов бора при средней плотности ионного тока 2 j < 3 мкА/см2, отличающийся тем, что, с целью формирования сплошного слоя тетраборида кремния, облучение ведут дозой 6,25 1016 - 1,00 1017 см-2.
Похожие патенты:
Способ легирования кремния бором // 1391168
Способ легирования кремния бором // 1391168
Способ получения высокоомного кремния // 1331140
Способ выращивания кристаллов кремния // 1258329
Способ получения легированного кремния // 1005511
Способ получения полых кремниевых труб // 687654
Способ обработки кремния // 623298
Способ подогрева кремниевых стержней // 503463
Абразивная суспензия // 2102543
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы
Изобретение относится к химической технологии
Способ выращивания монокристаллов кремния // 2177513
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, получаемого для этих целей методом Чохральского
Изобретение относится к способам обработки выращенных слитков монокристалла кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин солнечных элементов фотовольтаических модулей
Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского
Изобретение относится к области определения структуры кристалла кремния и может быть использовано при определении бездефектной зоны монокристалла кремния при выращивании кристаллов по методу Чохральского