Способ эпитаксиального выращивания полупроводников
1. Способ эпитаксиального выращивания полупроводников, включающий введение раствора-расплава в зазор между вертикально расположенными нагретыми подложками, рост слоев на подложках при их вращении, отличающийся тем, что, с целью увеличения скоростей роста слоев, раствор-расплав вводят в зазор до уровня центра подложек с отклонением не более 0,05Д, где Д - диаметр подложки, а вращение подложек проводят вокруг оси, проходящей через центр подложек перпендикулярно их поверхности.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных слоев кремния, процесс ведут при величине зазора между подложками 1,5-15,0 мм и скорости вращения подложек 0,1 - 20,0 об/мин.
Похожие патенты:
Способ легирования кремния бором // 1391168
Способ получения высокоомного кремния // 1331140
Способ выращивания кристаллов кремния // 1258329
Способ получения легированного кремния // 1005511
Способ получения полых кремниевых труб // 687654
Способ обработки кремния // 623298
Способ подогрева кремниевых стержней // 503463
Устройство для жидкофазной эпитаксии // 1306175
Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур, и может быть использовано при производстве светоизлучающих приборов
Способ получения эпитаксиальных слоев sic // 1266253
Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано при выращивании монокристаллических слоев карбида кремния, пригодных для создания на их основе электронных приборов
Способ получения структур на основе кремния // 1088417
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для производства полупроводниковых приборов и интегральных схем различного назначения
Устройство для электрожидкостной эпитаксии // 1059031
Устройство для жидкостной эпитаксии // 938642