Способ определения полюсной плотности текстурованных материалов

 

Изобретение относится к области средств рентгенографического контроля свойств материалов, в частности может быть применено для контроля технологических процессов при изготовлении кольцевых и секторных магнитов. Цель изобретения состоит в повышении производительности контроля благодаря сокращению времени на подготовку образцов при контроле кольцевых и секторных магнитов из гексагональных материалов. Контролируемый магнит, например, из сплава кобальт-самарий, структура которого характеризуется аксиальной текстурой радиального направления, подвергают рентгенографированию на предмет определения полюсной плотности Р<SB POS="POST">002</SB> по плоскости, параллельной оси текстуры, а затем рассчитывают полюсную плотность Р<SB POS="POST">002</SB> вдоль оси текстуры или находят ее из градуировочного графика зависимости Р<SB POS="POST">002</SB><SP POS="POST">.</SP>EXP(C<SP POS="POST">.</SP>P<SB POS="POST">002</SB>)=P<SB POS="POST">002</SB><SP POS="POST">.</SP>EXP(C<SP POS="POST">.</SP>P<SB POS="POST">002</SB>).

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (50 4 С О1 N 23/20

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н Д ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

flPH ГКНТ СССР

1 (21) 4222253/24-25 (22) 06.04.87 (46) 30.09.89. Бюл. Г 36 (72) В.М.Райгородский и t0.È,Ñóðîâ (53) 621.386(088,8) (56) S.Foner, Iã. E.Ë . Mc Niff et а1.

Magnetic properties of cobalt — Samarium With 24 M.G ° Ос energy product ,.//Appl. Phys. Lett, 1972, v. 20, V 11, р. 447-449.

Русаков А.А. Рентгенография металлов. N. Атомиздат, 1977, с, 363 ° (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОПОСНОИ

ПЛОТНОСТИ ТЕКСТУРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ (57) Изобретение относится к области средств рентгенографического контроля сройств материалов и может быть применено для контроля технологичесИзобретение относится к средствам-. рентгенографического контроля свойств материалов и может быть применено для контроля технологических процессов при изготовлении кольцевых и секторных магнитов, Цель изобретения — повышение производительности контроля за счет со» кращения времени на подготовку образцов при контроле кольцевых или секторных магнитов из гексагональных материалов.

Сущность способа заключается в том, что определение полюсной плотности Р, вдоль каждого технологического направления, совпадающего с осью аксиальной текстуры, осуществля„„SU 1511652 А I ких процессов при изготовлении кольцевых и секторных магнитов ° Цель изобретения состоит в повышении производительности контроля благодаря сокращению времени на подготовку образцов при контроле кольцевых и секторных магнитов из гексагональных материалов. Контролируемый магнит, например, из сплава кобальт - самарий, структура которого характеризуется аксиальной текстурой радиального направления, подвергают рентгенографированию на предмет определения полюсной плотности P по плоскости, 002 параллельной оси текстуры, а затем о рассчитывают полюсную плотность P вдоль оси текстуры или находят ее из градуировочного графика зависимости о о оо зо аоот ехр(С Роо ) = Роо exp(C Pppz) ° ют путем расчета или по градуировочRoMy графику зависимости

P„ехр(С P z) = P ехр(С х по экспериментально найденному знао чению полюсной плотности Р„ для плоскости (002), параллельной оси текстуры с помощью метода обратных полюсных фигур.

Пример. Проводилось измерение

3В уровня радиальной текстуры в кольце"

f вых магнитах на основе соединения

SmCo с внешним диаметром 16 мм, внутренним 5 мм, толщиной 3 мм. Магниты изготовлены из сплава, содержащего 37,21 Sm, 62,8/ Со, получены

Составитель E. Сидохин

Техред И.Верес Корректор: Т.Малец

Редактор M.Êåëåìåø

Заказ 5896/47 Тираж 789 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãîðoä, ул. Гагарина,101

5 I 51 линейным прессованием с удельным давлением P = 10 т/см .

Использовался рентгеновский дифра ктометр ДРОН-ÇM, СоК -излучение.

Электрические режимы на рентгеновской трубке: U = 35 кЧ, I = 10 мА.

Скорост ь вращения гониометра 1. град/

/мин. Облучение рентгеновским пучком проводилось в диапазоне углов дифракции 17-38

Для определения величины С в расчетной формуле готовился магнит из соединения на. основе SmCo в форме прямоугольного параллелепипеда размером 15 х 17 х 40 ммз. Далее готовились шлифованные поверхности под углами Ц, равными: О, t0, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90 к оси текстуры.

Величина С определялась из соотношения

90" РА

<30 о ooz Poo где p — тангенс угла наклона прямой, построенной в .координатах

1п Р от Ч

При этом С = -4,2826.

Для исследуемых образцов и порошков из того же сплава проводилось измерение интенсивности дифракционных отражений (1О1), (110), (200), (111), (002), (201), (112), (211), (202).

После этого проводился расчет вели о чины PÄ,, которая равна 0,04. Знао чение Р„, определенное по градуировочному графику, равно 0,67.

1652

Формула изобретения

Способ определения полюсной плотности текстурованных материалов, включающий облучение образца рентгеновским пуцком, анализ отраженного пучка и расчет полюсной плотности по методу обратных полюсных фигур, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения производительности контроля за счет сокращения времени на подготовку образцов при контроле кольцевых и секторных магнитов из

15 гексагональных материалов, анализ отраженного пучка проводят от кристаллографической плоскости (002), параллельной направлению оси текстуры, находят полюсную плотност ь

20 P„, а определение полюсной плотчо. ности вдоль оси текстуры производят путем пересчета найденной полюсной плотности для плоскости (002) в полюсную плотность P искомой текстуры с помощью градуировочного графика зависимости Р о от Роо2 полу о 9о ченного на основе соотношения (Роог ехР(С P ) = P ° ехР(С х чо х Р ), О

Ф где С - величина, постоянная для данного материала и технологических условий изготовления магнитов, определяемая с по- . моцью изготовления и анализа эталонных образцов.

Способ определения полюсной плотности текстурованных материалов Способ определения полюсной плотности текстурованных материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к рентгеноструктурному анализу объектов, а более конкретно - к исследованию или анализу объектов с помощью рентгеновского излучения средствами дифрактометрии

Изобретение относится к рентгенографическому исследованию материалов и может быть использовано для исследования структуры расплавов и растворов в широком диапазоне температур и газовых сред

Изобретение относится к области рентгеноструктурного анализа и является усовершенствованием установки для рентгенографического исследования текстуры

Изобретение относится к рентгендифракционным методам контроля структурного совершенства монокристаллов и может быть использовано для контроля при производстве монокристаллических образцов, приборов на их основе, а также монокристаллов, используемых в ядерно-физических экспериментах по изучению взаимодействия излучения с кристаллами

Изобретение относится к количественному рентгенофазовому анализу (РФА) текстурированных высокомолекулярных соединений ,в частности, к количественному рентгенофазовому анализу целлюлозы

Изобретение относится к физическому материаловедению ,в частности, к средствам контроля структуры материалов с помощью дифракции рентгеновских лучей

Изобретение относится к области научного приборостроения, конкретнее к средствам рентгеноструктурного анализа материалов при излучении процессов, происходящих в них в газообразных средах и в вакууме при температурно-силовом воздействии

Изобретение относится к области рентгеновского приборостроения и может быть использовано в рентгеновских дифрактометрах различного назначения

Изобретение относится к области металловедения и может быть использовано в научных исследованиях и для контроля параметров термических обработок, в частности, для определения скоростей охлаждения быстрозакристаллизованных вольфраммолибденовых сталей

Изобретение относится к рентгеновским монохроматорам и может применяться в оптике рентгеновских лучей

Изобретение относится к области медицины, а именно к гемостазиологическим аспектам акушерства и гинекологии, и может быть использовано врачами других специальностей

Изобретение относится к области ядерной энергетики для космических аппаратов и, в частности, к теневым радиационным защитам (РЗ), выполненным из гидрида лития, и касается технологии изготовления в части проведения контроля их геометрии, определяющей контур теневой защищаемой зоны, создаваемой защитой на космическом аппарате

Изобретение относится к технике рентгеноструктурного анализа и касается методов настройки и юстировки гониометрических устройств рентгеновских дифрактометров типа "ДРОН"

Изобретение относится к технологии анализа биологических материалов, а именно к способам определения фракционного состава (ФС) липопротеинов (ЛП) в плазме крови методом малоуглового рентгеновского рассеяния (МУРР) для последующей диагностики состояния организма человека

Изобретение относится к устройствам для рентгеновской типографии и может быть использовано для определения структуры сложного неоднородного объекта и идентификации веществ, его составляющих

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для оценки качества деталей при их изготовлении и ремонте, а конкретно - дефектоскопии с использованием радиоактивных источников ионизирующего излучения и коллимированных блоков детекторов
Наверх