Способ выращивания кристаллов с периодической структурой

 

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, которые могут найти применение в квантовой электронике. Цель изобретения - упростить способ получения и повысить выход кристаллов с периодической структурой. Способ реализуется путем возбуждения в объеме кристаллизуемого раствора или расплава ультразвуковой волны, волновой вектор которой параллелен направлению кристаллизации, при этом поверхности растущего кристалла и источника ультразвука служат стенками резонатора. Условия периодического возникновения стоячей ультразвуковой волны обеспечивает движение поверхности растущего кристалла, которая является отражателем ультразвукового резонатора. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (1% (II) А1 (59 4 С 30 В 7 00 15 20

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМ У СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3838270/26-63 (22) 18. 10.84 (46) 23.04.89. Бюл. Ь"- 15

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (7I) Институт радиофизики и электро, ники АН АрмССР (72) В.С.Аракелян и А.Г.Аветисян (53) 532.781:534.51(088.8) I (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

С ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СТРУКТУРОЙ (57) Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, которые могут найти применение в кванто-. вой электройике. Цель изобретения—

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, которые В могут найти применение в квантовой электронике.

Цель изобретения - упрощение способа и повьппение выхода кристаллов с периодической структурой.

На чертеже представлена схема, поясняющая сущность предлагаемого способа.

На схеме приняты следующие обозначения: 1 — стенка резонатора; 2излучатель ультразвука, k — - волновой вектор УЗ-волны; n — направление кристаллизации, 1 " длина резонатора.

Способ осуществляется следующим образом.

В объеме раствора или расплава на расстоянии нескольких сантиметров друг от друга размещают затрав- упростить способ получения и повы сить выход кристаллов с периодической структурой. Способ реализуется путем возбуждения в объеме кристаллизуемого раствора или расплава ультразвуковой волны, волновой вектор которой параллелен направлению кристаллизации, при этом поверхности растущего кристалла и источника ультразвука служат стенками резонатора. Условия периодического возникновения стоячей ультразвуковой волны обеспечивают движение поверхности растущего кристалла, которая являет.ся отражателем ультразвукового резонатора. 1 ил. ку выращиваемого кристалла и ультразвуковой излучатель таким образом, что они создают ультразвуковой резонатор, причем одной из стенок резонатора служит поверхность растущего кристалла. По мере роста кристалла происходит изменение длины резонатора, что, в свою очередь, приводит к регулярным изменениям режима волны: бегущей — стоячей— бегущей — . стоячей, что и приводит к модуляции концентрации примеси в кристалле и к возникновению периодической структуры. В(аг периодической структуры определяется длиной волны ультразвукового излучения. Например, при использовании ультразвука с частотой 52 МГц полученная периодическая структура имеет шаг 38 мкм, а при частоте 30,5 ИГц — 112 мкм.

Формула изобретения

Составитель Г.Самохвалов

Техред А.Кравчук Корректор С.Шекмар

Редактор Н.Яцола

Заказ 1841/23 Тираж 355 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул. Гагарина, 101

Способ выращивания кристаллов с периодической структурой из жидкой фазы, включающий возбуждение ультразвуковой волны в резонаторе, содержащем затравку, о т л и ч а ю щ и й474184

4 с я тем, что, с целью упрощения способа и повышения выхода годных, резонатор образуют размещением затравки напротив излучателя, а частоту возбуждения устанавливают из условия возникновения стоячих волн на первоначальной длине резонатора.