Способ определения температуры насыщения

 

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из растворов с использованием растворителей являющихся жидкими при обычных температурах, и позволяет повысить точность определения температуры насыщения. В прозрач1гуюкювету с неперемешнваемьЫ раствором для выращивания кристаллов помещают кристалл. Теневым методом наблюдают изображение дворика кристаллизации вокруг кристалла. Одновременно изменяют и измеряют температуру раствора. Измерения проводят на уровне центра кристалла. Регистрируют температуры , соответствующие исчезновению изображения дворика кристаллизации у нижней и у верхней граней кристалла , и вычисляют их среднее арифмеа тическое значешш. Достигнута точность определения в о,Гс. 1 ил. (Л

союз совятсних социАлистич вских кспуьлик

119) OI) А1

1 (51)5 С 30 В 7/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ с . госудж ственный комитат Gccp по джулии изов кткний и открытий (46) 23. 09. 90. Бюл. У 35 (21) 4:161716/31-26 (22) 15.12.86 (71) Коми Филиал АН СССР (72) В.И.Ракии и А.И.Асхабов (53) 621.3 15.592(088.8) (56) Петров Т.Г. Установка для изучения роста кристаллов под микроскопом Кристаллография, 1957, т. 2, вып. 6, с.28.

Ковалевский A.Н. Прецизионный метод определения температуры насьпце" ния прозрачных растворов. Сб. рост кристаллов. М,: Наука, т, 1. 1957. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ .

НАСЫЩЕНИЯ (57) Изобретение относится к выращиванию кристаллов из растворов с использованием растворителей являющих. > ся жидкими при обычных температурах, и позволяет повысить точность определения температуры насыщения.. В про- . зрачную кювету с неперемешнваемым раствором для выращивания кристаллов помещают кристалл. Теневым методом наблюдают изображение дворика кристаллизации вокруг кристалла. Одновременно изменяют и измеряют температуру раствора. Измерения проводят на уровне центра кристалла. Регистрируют температуры, соответствующие исчезнове" нию изображения дворика кристаллизации у нижней и у верхней граней кристалла и вычисляют их среднее арифмеЭ

Ж тическое значение. Достигнута точО ность определения в О, 1 С. 1 ил.

1412378

Изобретение относится к ныращива-i нию кристаллов иэ растворов с использованием растнорителей, являющихся жидкими при обычной температуре.

Целью изобретения является поньппение точности определения.

На чертеже представлена оптическая схема устройства, позволяющего теневым методом наблюдать изображе- 10 ние дворика кристаллизации вокруг кристалла в растворе.

Работу на. установке проводят следующим образом. .Расходящийся световой пучок от ис- 15 точника света 1 преобразуется коллиматором 2 B плоскопараллельный, который просвечивает кювету 3 с раство-. ром.,Все неотклонившиеся параллельные лучи собираются объективом 4 в фокаль 20 ной точке, где расположена поглощающая диафрагма 5. Лучи, прошедшие через дворик кристаллизации и отклонейные от первоначального напранле«шя, беспрепятственно собираются на экране 6.

- Пример -1. В кювету.3 налива.«от заведомо перегретый водный раствор, алюмо-калиевых квасцов, примерно на

5-10 С относительно предполагаемой 30 точки насьпцения и опускают кристалл алюмо.-калиевых квасцов размером 5 мм н диаметре, укрепленный на проволочном кристаллоносце, Спай регистрирующей медь-константаноной термопарь« ус- 35 танавлинают на уровне центра кристалла. Холоднь«й спай устанавливают н дьюаре с тающим льдом. ТермоЭДС медьконгтантаноной термопары составляет

40 мкВ/град. Объектив 4 диаметром

4 сь« имеет фокусное расстояние 18 см.

В фокусе объектива устананливают круг-, лую черную диафрагму 5 диаметром

0,5 мм. На экране 6 поянляется яркое .изображение дворика кристаллизации но. 5 круг растворяющегося кристалла. Температуру раствора понижают н режиме естественной конвекции. По мере охлаждения регистрируют температуру, соответствующую исчез««ове««ию изобра50 жения дворика кристаллизации у нижней грани кристалла 33,49 С, а через 5 с

0 у верхней грани кристалла — 33,47 С.

Таким .образом, температура насьпцения

2 раствора составляет 33,4810р01 С, При этой температуре растворимость алюмокалиевых сквасцон 23 г на 100 мп ноды

Пример 2. Водный раствор сульфата магния, предварительно перегретый, наливают в кювету 3. Кристалл сульфата магния размерами 1х1х х3 мм и медь-константаноную термопару погружают в раствор. В фокусе объектива 4 диаметром 3 см и фокусным расстоянием 12 см помещают круглую черную диафрагму 5 диаметром 0,5 мм.

По показателю термопары регистрируют температуру, соответствующую исчезнонению дворика кристаллизации у ниж- . ней грани кристалла 14,53 С, а через

3 с у верхней грани кристалла 14,51 С.

Таким образом, температура насьпцения растнора составляет 14,52-0,01 С. Растворимость сульфата магния при этой температуре 104 r на 100 мл воды.

Как нидно из приведенных примеров, способ по ««зобретению позволяет измерять температуру насыщения раствора с высокой точностью, учитывая физические процессы, проходящие н растворе.

При этом сохраняется удобство наблюдения.

Формула изобр ет ения

Способ определения температуры насьпцения раствора для выращивания кристаллов, включающий наблюдение теневым методом изображения дворика кристаллизации вокруг кристалла, погруженного в неперемешиваемый раствор, при одновременном изменении и измерении его температуры и регистрацию температуры, соответствующей исчезновению изображения дворика кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определенияр температуру измеряют на уровне центра кристалла, регистрируют температуры, соответствующие исчезновению изображения дворика у ««ижних и у верхних граней кристалла, а температуру насыщения раствора вычисляют как среднее арифметическое значение. I4 32378

Составитель В,Беэобородова

Редактор А. Кондрахина Техред Л. Сердюкова Корректор M.Øàðîøè

Заказ 3328

Тираж 339 Подписное

ВПИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

l)3035,. Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

»»

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4