Способ измерения величины пересыщения раствора t, соответствующей началу роста граней призмы

 

Изобретение касается роста кристаллов, конкретно определения свойств кристаллов с помощью оптических средств, может быть использовано для практического выращивания кристаллов с огранкой типа КДР и -LiIO₃ и позволяет повысить точность измерения. В раствор погружают микрокристалл и наблюдают его грань пирамиды в микроскоп в растворе в отраженном свете. Ведут рост микрокристалла до появления на грани пирамиды одиночных ступений роста, генерируемых одним центром роста. Уменьшают пересыщение T до прекращения их генерации и в момент прекращения генерации фиксируют T.. Определяют интервал ошибки измерений. Достигают увеличения точности измерений до 0,2^oС и производительности процесса на порядок. 1 ил.

Изобретение касается роста кристаллов, конкретно определения свойств кристаллов с помощью оптических средств, и может быть использовано для практического выращивания кристаллов с огранкой типа КДР и LiIO₃ (например, DKDP, ADP, RDP, BaNO₃, NaNO₃, КIO₃) из растворов и для исследовательских работ по изучению роста растворных кристаллов. Цель изобретения повышение точности измерения. На чертеже представлена схема устройства для измерения величины мертвой зоны. Устройство содержит статируемую кювету 1 с термометром 2 и закрепленным на нем монокристаллом 3, горизонтальный микроскоп 4 и осветитель 5. Для уменьшения вибраций микроскоп 4 и кювета 1 установлены на единой виброизолированной платформе 6. Термостатирование кюветы 1, в которую заливается исследуемый раствор, осуществляется водой, циркулирующей через ультратермостат (на чертеже не обозначен). П р и м е р 1. Измеряют минимальную величину пересыщения Т_ораствора для роста грани призмы кристалла LiIO₃. В раствор погружают микрокристалл 3 LiIO₃ сечением 1 мм². Наблюдение за микрокристаллом проводят с помощью горизонтального микроскопа 4 с увеличением в 70 раз. Предварительно по признакам роста и растворения монокристалла определяют температуру насыщения Т_нраствора, равную 20 0,5^оС. Затем в термостатируемой кювете 1 устанавливают пересыщение Т раствора, которое заведомо выше величины Т_о и при котором заведомо происходит рост граней призмы и пирамиды микрокристалла. В этом растворе ведут рост микрокристалла до появления на грани пирамиды, наблюдаемой в отраженном свете, одиночных ступеней роста, генерируемых одним центром роста. После появления одиночных ступеней на грани пирамиды с помощью ультратермостата задают режим уменьшения Т раствора в кювете 1 и в момент прекращения генерации одиночных ступеней фиксируют величину пересыщения Т_о. Для оценки интервала ошибки измерений ( Т_о Т) увеличивают пересыщение Т на малую величину Т до появления вновь картины одиночных ступеней. Величину Т, характеризующую точность измерения, получают 0,5^оС. Измеряют величину Т_о раствора LiIO₃, равную 6 1^оС. Ошибка 1^оС получается потому, что ошибка определения Т_н равна 0,5^оС и ошибка измерения верхней границы Т_оТ 0,5^оС. Достигают на порядок большей точности измерения, чем по прототипу и увеличения производительности процесса. П р и м е р 2. Процесс проводят, как в примере 1, но измеряют величину Т_о раствора для выращивания кристалла КДР. Получают значение величины Т_o, равное 6,5 0,2^оС. Достигают на порядок большей точности измерения, чем по прототипу, и увеличения производительности процесса. Способ по изобретению также позволяет определить интервал ошибки измерений, в котором заведомо лежит истинная величина Т_о, в то время как способ-прототип не обеспечивает получения интервала ошибки, так как позволяет только, увеличивая время измерения до нескольких суток, приближаться к значению Т_о с одной стороны с неопределенной ошибкой.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ ПЕРЕСЫЩЕНИЯ РАСТВОРА T_o, СООТВЕТСТВУЮЩЕЙ НАЧАЛУ РОСТА ГРАНЕЙ ПРИЗМЫ кристаллов с огранкой типа КДР и -LiIO₃, включающий погружение микрокристалла в раствор, наблюдение за его ростом, уменьшение пересыщения T и определение T_o, при котором происходит прекращение роста грани призмы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, рост осуществляют до появления на грани пирамиды одиночных ступеней роста, генерируемых одним центром роста, уменьшение T ведут до прекращения их генерации и в момент прекращения генерации фиксируют T_o.

РИСУНКИ

Рисунок 1