Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа аiibvi и их твердых растворов
Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа АIIBVI и их твердых растворов, содержащая основу и легирующие примеси в виде галогенидов металлов общей формулы MeX, где Me - Cu, Cd, Bi, Pb, X - Cl, Br, J, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности активирующих свойств шихты, в качестве основы используют двуокись титана при следующем соотношении компонентов, вес.%:
Me0,70 + 4,85 Х0,60 + 2,15 Двуокись титанаОстальное
Похожие патенты:
Способ получения пленок сульфида свинца // 371963
Ферримагнитный полупроводниковый материал // 2142521
Изобретение относится к области изыскания материалов, которые могут найти применение как ферримагнитные полупроводники при создании элементов памяти, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов
Изобретение относится к области технологии получения и легирования неорганических веществ и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковом приборостроении
Изобретение относится к области получения кристаллических полупроводниковых материалов с заданными электрофизическими свойствами
Изобретение относится к области получения кристаллических полупроводниковых материалов, используемых в электронном, ядерном приборостроении, детекторах ионизирующих излучений
Изобретение относится к неорганической химии
Изобретение относится к получению монокристаллических тиоиндатов щелочных металлов структуры АIBIIICVI 2, в частности монокристаллов соединения LiInS2, используемого в лазерной технике в качестве преобразователя излучения
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к тройным теллуридам железа и индия, которые могут найти применение как ферромагнитные материалы при создании постоянных магнитов, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах
Тройной халькогенидный монокристалл для преобразования лазерного излучения и способ его выращивания // 2255151
Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике
Изобретение относится к технологии ювелирного производства, точнее к способам получения цветных ювелирных вставок, а также вставок с применением ювелирных эмалей, и предназначено для использования в ювелирной промышленности тиражом
Способ окрашивания фианитов // 2296825
Изобретение относится к области обработки синтетических, тугоплавких ограненных кристаллов, в частности фианитов (кристаллов на основе диоксида циркония и/или гафния, стабилизированных оксидом иттрия)
Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при изготовлении лазерных стержней из высокотемпературного сложнооксидного материала
Изобретение относится к технологии тонкой обработки природных и синтетических ювелирных камней, а именно - к технологии окраски бесцветных вставок из ювелирных камней на основе оксидных материалов