Ферримагнитный полупроводниковый материал
Изобретение относится к области изыскания материалов, которые могут найти применение как ферримагнитные полупроводники при создании элементов памяти, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах. Технический результат - создание материала, обладающего одновременно ферримагнитными свойствами при комнатной температуре и полупроводниковыми свойствами. Предложен ферримагнитный полупроводниковый материал, представляющий собой твердый раствор дителлурида железа в тетрателлуриде трихрома при следующем соотношении компонентов, мол.%: дителлурид железа 3-12, тетрателлурид трихрома 88-97. Предложенные твердые растворы обладают магнитными свойствами при комнатной температуре (температура Кюри 300 К), что позволяет их использовать в приборах не требующих специального охлаждения. Значение намагниченности составляет 90-100 у.е. По величине удельного сопротивления при различных температурах предложенный материал можно отнести к полупроводникам (удельное сопротивление при 300 К составляет (0,7-7,6)10 ом
см, при 77 К 60-80 ом
см). Уникальное сочетание полупроводниковых и магнитных свойств твердых растворов делает их перспективными для широкого практического использования. 1 табл.
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к твердым растворам дителлурида железа в тетрателлуриде трихрома, которые могут найти применение как ферримагнитные полупроводники при создании элементов памяти, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах.
Данный твердый раствор относится к классу халькохромитов элементов восьмой и шестой групп Периодической системы [1]. Наиболее интересным с практической точки зрения из этого класса веществ являются твердые растворы железа Cr7-xFexTe8 и CrxFe2-xTe3 (x=0-2) в теллуриде хрома [2, 3]. Эти твердые растворы характеризуются тем, что они кристаллизуются в гексагональной сингонии с кристаллической структурой типа NiAs. Данные твердые растворы могут быть получены многократной прокалкой при 950oC соответствующих количеств элементов в эвакуированных кварцевых ампулах [4]. Однако описанные выше твердые растворы железа в теллуриде хрома обладают магнитными свойствами при комнатной температуре, но не обладают полупроводниковыми свойствами, что не позволяет при их использовании в электронных приборах применять для их управления одновременно магнитное и электрическое поле. Ближайшим решением поставленной задачи является ферримагнитный полупроводниковый материал - сульфохромит железа FeCr2S4, имеющий температуру магнитного упорядочения 177 - 200. Сульфохромит железа получают путем взаимодействия карбонильного железа, серы и трихлорида хрома в эвакуированной кварцевой ампуле при 1170 - 1220 K с последующим удалением образовавшегося FeCl2 кипячением в дистиллированной воде [5]. Описанный материал обладает одновременно полупроводниковыми и магнитными свойствами, однако магнитные свойства присущи этому материалу только при пониженной температуре (т. е. ниже комнатной), что создает определенные трудности при использовании этого материала в различных приборах. До настоящего времени не было найдено халькохромита элементов шестой и восьмой групп, обладающего одновременно магнитными свойствами при комнатной температуре и полупроводниковым характером проводимости. Целью данного изобретения является изыскание материала, обладающего полупроводниковым характером проводимости и одновременно ферримагнитными свойствами при комнатной температуре. Согласно изобретению указанная цель достигается тем, что ферримагнитный полупроводниковый материал представляет собой твердый раствор дителлурида железа FeTe2 в тетрателлуриде трихрома Cr3Te4 при следующем соотношении компонентов, мол.%: FeTe2 3 - 12; Cr3Te4 88 - 97. Твердый раствор дителлурида железа в тетрателлуриде трихлора получают путем взаимодействия стехиометрических количеств железа, хрома и теллура в эвакуированной ампуле при температуре 950oC с последующим отжигом при 600oC в течение 800 часов. Выход поликристаллического продукта 98%. Монокристаллы данного твердого раствора получают из предварительно синтезированного поликристаллического продукта методом направленной кристаллизации в печи с температурным градиентом. При содержании FeTe2 выше 12% снижается намагниченность твердого раствора и температура перехода в ферримагнитное состояние (температура Кюри). При концентрации дителлурида железа менее 3% полупроводниковые свойства не проявляются. Отличительной особенностью предлагаемого изобретения является то, что ферримагнитный полупроводниковый материал представляет собой твердый раствор дителлурида железа в тетрателлуриде трихрома при вышеуказанном соотношении компонентов. Твердый раствор FeTe2 : Cr3Te4 имеет конгруэнтный характер плавления, Tпл = 1560oC, кристаллизуется в гексагональной сингонии с параметрами элементарной ячейки a=3,93 А, c=5,95 и величину микротвердости 80 ГПа. Величины удельного сопротивления составляют (0,7-7,6)



Формула изобретения
Ферримагнитный полупроводниковый материал, включающий железо, хром и халькоген, отличающийся тем, что материал представляет собой твердый раствор дителлурида железа в тетрателлуриде трихрома при следующем соотношении компонентов в твердом растворе, мол.%: Дителлурид железа - 3 - 12 Тетрателлурид трихрома - 88 - 97РИСУНКИ
Рисунок 1