Двуслойная диэлектрическая структура и способ ее получения
1. Двуслойная диэлектрическая структура на германиевой подложке, состоящая из верхнего слоя нитрида кремния и промежуточного слоя, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела германий-диэлектрик за счет снижения плотности поверхностных состояний, промежуточный слой выполнен из оксинитрида германия.
2. Способ получения двуслойной диэлектрической структуры на германиевой подложке, включающий окисление подложки германия при 820 - 870 К в течение 5 - 60 мин, осаждение слоя нитрида кремния, отличающийся тем, что после окисления подложки германия проводят отжиг структуры в аммиаке при 900 - 1000 К и атмосферном давлении в течение 10 - 50 мин.
Похожие патенты:
Способ получения слоев диоксида кремния // 1403907
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения диэлектрических покрытий на монолитных интегральных схемах с алюминиевой металлизацией
Способ создания тонких слоев оксида кремния // 1371456
Способ нанесения пленок // 2102814
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Способ получения борсодержащих пленок // 2129321
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов
Способ получения борофосфорсиликатных пленок // 2173912
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов
Способ получения защитных пленок // 2176421
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Ta2O5)
Способ химической обработки пластин кремния // 2228563
Способ создания диэлектрического слоя // 2274926
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи