Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния

Авторы патента:

H01L21/316 - из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов

Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния, включающий нанесение слоя двуокиси кремния в плазме ВЧ-разряда из смеси моносилан-аргон-кислород, отличающийся тем, что, с целью улучшения зарядовых свойств плазмохимических пленок за счет аморфизации их структуры, после нанесения пленок производят отжиг в атмосфере водорода, азота или инертного газа в диапазоне температур от 600 до 650 K или от 900 до 950 K в течение 10-90 мин.

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния // 1246818

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика // 1233731

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика // 1225430

Способ создания моп-структур // 1223789

Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах мдп-интегральных схем // 1151153

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика // 1147205

Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла // 1144566

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла // 1127483

Способ окисления пластин кремния // 1099782

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ получения пленки диоксида кремния на подложке // 2116686

Способ химического осаждения тонких пленок диоксида кремния // 2119692

Способ изготовления структур кремний - пленка диоксида кремния // 2128382

Способ получения борсодержащих пленок // 2129321

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов

Способ получения борофосфорсиликатных пленок // 2173912

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов

Способ получения защитных пленок // 2176421

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Ta2O5)

Способ химической обработки пластин кремния // 2228563

Пленка гидрированного кремний-оксикарбида (sico:h) и способ ее получения // 2264675

Способ создания диэлектрического слоя // 2274926

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи