Способ получения исходного материала для изготовления низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты поверхности полупроводниковых приборов
Авторы патента:
Способ получения исходного материала для изготовления низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты поверхности полупроводниковых приборов, включающий приготовление водного раствора азотнокислых солей стеклообразующих элементов, введение в раствор двуокиси кремния, приливание водного раствора аммиака до получения осадка гидроокисей, просушивание и растирание осадка, отличающийся тем, что, с целью улучшения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности осадка, двуокись кремния вводят в водный раствор азотнокислых солей в виде водного раствора кремниевой кислоты.
Похожие патенты:
Способ создания подзатворного диэлектрика // 1282767
Способ создания моп-структур // 1223789
Способ нанесения пленок // 2102814
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Способ получения борсодержащих пленок // 2129321
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов
Способ получения борофосфорсиликатных пленок // 2173912
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов
Способ получения защитных пленок // 2176421
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Ta2O5)
Способ химической обработки пластин кремния // 2228563
Способ создания диэлектрического слоя // 2274926
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи
