Способ определения положения и формы скрытых слоев на кремниевых полупроводниковых подложках с эпитаксиальным слоем

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

(19)SU(11)1277840(13)A1(51) МПК ⁶ _H01L21/306(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина:

(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к технологии изготовления кремниевых приборов, и может быть использовано при обработке технологического процесса, а также при контроле качества эпитаксиальных структур. Целью изобретения является упрощение способа, повышение точности и увеличение используемой площади кристалла. П р и м е р 1. Берут безрельефные эпитаксиальные структуры, представляющие собой эпитаксиальный слой толщиной 1,8 мкм с удельным сопротивлением 1,5 Омсм n-типа проводимости, выращенные на подложке ЭКДБ-10, в которой перед эпитаксией были сформированы скрытые слои n-типа с помощью имплантации ионов сурьмы (Д=600 мкКл/см², Е=75 кэВ, отжиг в О₂, 1200^оС, 4 ч) и p-типа с помощью имплантации ионов бора (Д=10 мкКл/см², 100 кэВ, отжиг в О₂, 1100^оС, 90 мин). Перед разгонкой скрытых слоев окисел с подложки удаляют. Процесс анодирования проводят в концентрированной плавиковой кислоте при комнатной температуре при плотности анодного тока 10-40 Ма/см², до получения окрашенной пленки пористого кремния. Обычно процесс выращивания пористого кремния проводят в течение 30-120 с. Окраска (т.е. толщина) пористого кремния, выращенного над скрытыми слоями, отличается от окраски пористого кремния соседних областей, что позволяет определять положение скрытого слоя. П р и м е р 2. Анодированию подвергают эпитаксиальные структуры, подготовленные аналогично примеру 1. Процесс выращивания анодного окисла осуществляют в растворе 20% серной кислоты при комнатной температуре при постоянном напряжении 35-50 В, до появления окрашенной пленки окисла на поверхности эпитаксиальной структуры. Среднее время анодирования составляет 5-10 мин. Толщина анодного окисла, выращенного над скрытыми слоями, существенно отличается от толщины окисла соседних с ними областей, что создает различную окраску, по разности которой легко определить положение скрытого слоя.

Формула изобретения

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных микросхем и подупроводниковых приборов, в частности к формированию мезоструктур "карманов" для кремниевых структур с диэлектрической изоляцией

Способ изготовления кремниевых мембран // 1266401

Устройство для жидкостной обработки полупроводниковых пластин // 1257730

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано, например , при химической обработке полупроводниковых пластин

Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах // 1228722

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах (ПАВ)

Способ изготовления рельефных кремниевых структур // 1228720

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых приборов из кремния на основе рельефных структур, например чувствительных элементов преобразователей механических величин

Устройство для плазмохимической индивидуальной обработки пластин // 1222175

Травитель для прецизионного химического полирования монокристаллов антимонида галия и твердых растворов на его основе // 1135382

Способ получения равномерных эпитаксиальных слоев арсенида галлия // 1127479

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении арсенидгаллиевых полевых СВЧ-транзисторов и СВЧ-монолитных интегральных схем

Травитель для химического полирования монокристаллов фосфида галлия // 1127477

Способ изготовления мдм-структур с n-образной характеристикой // 1120880

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано в радиотехнике, вычислительной технике в системах автоматики, в качестве запоминающих и переключающих устройств

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости