Устройство для жидкостной обработки полупроводниковых пластин

Авторы патента:

НИКОЛАЕВ КОНСТАНТИН ПЕТРОВИЧ

СОЛОМАТИН ВАЛЕРИЙ ДМИТРИЕВИЧ

НОВИЦКИЙ ВЯЧЕСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ

НЕМИРОВСКИЙ ЛЕОНИД НИКОЛАЕВИЧ

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано, например , при химической обработке полупроводниковых пластин. Цель изобретения - повышение качества полупроводниковых пластин достига.ется благодаря тому, что стенки эластичной герметичной камеры 3 прижимаются к кромке пластины 8. К элементу 6, расположенному на опорном выступе 2, подводят электрический потенциал и осуществляют жидкостную обработку одной стороны пластины 8. 2 ил. с 1C сд 00 УЯ фи8.2

СОЮЗ CGBETCHHX

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (so 4 Н 01 Ь 21/306 iчт y g

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

М. А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ,ц

j фив 2

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3779574/24-21 (22) 10.08.84 (46) 15.09.86. Бюл. М-* 34 (72) К.П.Николаев, В.Д.Соломатин, B.М.Новицкий и Л.Н,Немировский (53) 621.382.002(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N 879678, кл. Н 01 Ь 21/00, 07. 11.81.

Патент США N - 4043894; кл. 204/297 М, 23.08.77.

„„SU„„1257730 A 1 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОСТНОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН (57) Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано, например, при химической обработке полупроводниковых пластин. Цель изобретения вЂ” повышение качества полупроводниковых пластин достигается благодаря тому, что стенки эластичной герметичной камеры 3 прижимаются к кромке пластины 8. К элементу 6, расположенному на опорном выступе 2, подводят электрический потенциал и осуществляют жидкостную обработку одC ной стороны пластины 8. 2 ил. е

1257730 формула изобретения фие f

Составитель Г.Падучин

Редактор Ю.Середа Техред Л.Олейник Корректор А,Зимокосов

Заказ 5033/52 Тираж 643 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при химической и электрохимической обработке полупроводниковых или иных пластин, например для травления, анодного окисления, получения слоев пористого кремния и т.д.

Цель изобретения вЂ” повышение ка10 чества полупроводниковых пластин путем защиты необрабатываемой стороны от попадания обрабатывающей жидкости.

На фиг.1 схематически изображено устройство, разрез, на фиг.2 вЂ” то же,в рабочем положении.

Устройство содержит держатель полупроводниковой пластины в виде стакана 1, на дне которого имеется опорный выступ 2, уплотнительный элемент, выполняемый в виде эластичной герметичной камеры 3, размещенной на стенках стакана 1, полость которой снабжена патрубком 4 для напуска сжатого газа, трубку 5 и электрический кон25 такгный элемент 6 с проводником 7, размещенный на опорном выступе 2.

Устройство используют следующим образом, Обрабатываемую пластину 8 помещают на контактный элемент 6 и подают б сжатый газ в полость камеры 3. При этом стенки камеры 3 прижимаются к кромке пластины 8 и герметично уплотняют ее. Затем к элементу 6 подводят (в случае необходимости) электрический потенциал и осуществляют жидкостную обработку одной стороны пластины 8. При этом обрабатывающая жидкость не проникает на цругую сторону пластины 8.

Устройство для жидкостной обработки полупроводниковых пластин, содержащее держатель полупроводниковой пластины, электрический контактный элемент и уплотнительный элемент, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества полупроводниковых пластин путем защиты необрабатываемой стороны от попадания обрабатывающей жидкости, держатель полупроводниковой пластины выполнен в виде стакана, на дне которого выполнен опорный выступ для размещения полупроводниковой пластины, а уплотнительный элемент выполнен в виде эластичной камеры, размещенной на стенках стакана, полость которой снабжена патрубком для напуска сжа" того газа.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах (ПАВ)

Способ изготовления рельефных кремниевых структур // 1228720

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых приборов из кремния на основе рельефных структур, например чувствительных элементов преобразователей механических величин

Устройство для плазмохимической индивидуальной обработки пластин // 1222175

Травитель для прецизионного химического полирования монокристаллов антимонида галия и твердых растворов на его основе // 1135382

Способ получения равномерных эпитаксиальных слоев арсенида галлия // 1127479

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении арсенидгаллиевых полевых СВЧ-транзисторов и СВЧ-монолитных интегральных схем

Травитель для химического полирования монокристаллов фосфида галлия // 1127477

Способ изготовления мдм-структур с n-образной характеристикой // 1120880

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано в радиотехнике, вычислительной технике в системах автоматики, в качестве запоминающих и переключающих устройств

Способ очистки полупроводниковых пластин и устройство для его осуществления // 1089674

Способ плазмохимической обработки полупроводниковых пластин // 1088589

Травитель для арсенида индия // 1088586

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости