Токопроводящий материал для элементов памяти

Авторы патента:

H01L45 - Приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, не имеющие потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера, например диэлектрические триоды; приборы с эффектом Овшинского; способы и устройства, предназначенные специально для изготовления или обработки вышеуказанных приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; приборы с использованием сверхпроводимости H01L 39/00; пьезоэлектрические элементы H01L 41/00; приборы с эффектом отрицательного объемного сопротивления H01L 47/00)

H01C7/10 - реагирующие на приложенное напряжение, т.е. варисторы

Токопроводящий материал для элементов памяти на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле M_xV₁₂O₃₁ n H₂O, или изополиванадат молибдата (вольфрамата) гидрат, отвечающий общей химической формуле M_xV₁₂Э_yO₃₁ n H₂O, где M - щелочной или щелочноземельный металл либо водород; Э - молибден или вольфрам; 0,1 x 2; 0,1 y 1.

Полупроводниковое запоминающее устройство // 1005223

Тонкопленочный переключательный элемент // 963123

Полупроводниковый материал для переключающих элементов // 778374

Изобретение относится к полупроводниковым материалам и может быть использовано в вычислительной технике, средствах связи, автоматике и телемеханике

Полупроводниковый материал для элементов памяти // 736810

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности, к полупроводниковым материалам для элементов памяти и может быть использовано в вычислительной технике, средствах связи, автоматике и телемеханике

Полупроводниковый материал для переключающих элементов и критических терморезисторов // 697016

Изобретение относится к полупроводниковым материалам, применяемым для изготовления переключающих элементов и критических терморезисторов, которые могут быть использованы в средствах связи, автоматике и телемеханике

Полупроводниковый переключающий элемент // 692443

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано в вычислительной технике, средствах связи и устройствах автоматики и телемеханики

Бистабильный переключатель с памятью // 659034

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств, переключателей

Бистабильный переключатель с памятью // 640618

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к полупроводниковым приборам, обладающим эффектом памяти при выключенном питании

Бистабильный переключатель // 578802

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и вычислительной технике и используется при построении запоминающих устройств, переключателей

Способ изготовления нелинейных резисторов // 1120413

Способ изготовления пленочных цилиндрических резисторов // 1109814

Способ изготовления нелинейных резисторов // 1089631

Резистивная композиция для варисторов // 1064324

Способ изготовления пороговых переключателей // 1026171

Материал для нелинейных резисторов // 1026170

Материал для изготовления варисторов на основе трехкомпонентнои смеси окисловметаллов // 426242

Пленочное управляемое сопротивление // 419987

Патент 414636 // 414636

Способ изготовления нелинейных резисторов(варисторов) // 341095

Варистор и способ его изготовления // 2118006

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР