Полупроводниковое запоминающее устройство

О П И C А Н И Е ()явы з

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Саветсккк

Социалистических

Респубики

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 16.05.80 {21) 2917351/18-25 с присЬелинеиием заявки М— (23) Приоритет(Я)м. кл .

Н 01 1 29/14 р Н 01, 45/00

Гевумрстеввиыв квавтет

Опубликовано 15.03.83 Бюллетень М 10 во дввви взебретеиий и еткритий (53) УДК 821. .382 (088.8) Дата опубликования описания 15.03.83

М, И. Елинсон, M. P. Мацьяров, 5. А. Малахов, B. И. Покалякин и С. А. Терешин (72) Авторы изобретения

Орцена Труцового Красного Знамени институт радиотехники и электроники АН СССР (7! ) Заявитель (5 4 ) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮКЕЕ

УСТ РОЙСТ ВО

Изобретение относится к вычислительной технике и может, быть испольэо вано при созцании постоянных запоминающих устройств вычислительных машин и . в .автоматике.

Известны полупровоцниковые запоминаю шие устройства на основе стеклообраэных полупровоцников, облацаюшие свойством памяти при отключении источника питания. Такое устройство состоит из стекло-1о образного полупровоцника, заключенного между металлическими элекгроцами. При пропускании тока через элекгроцы проис- хоциг иэмейение величины провоцимости межцуэлектроцного материала, причем при отключении питания полученная прово цимость межцуэлектроцного промежутка не изменяется. Процесс -переключения характеризуется напряжением, при котором начинается процесс изменения вели- zo чины провоцимости 1) .

Это напряжение, называемое пороговым или напряжением переключения, имеег разброс по величине как для оцного элемента, так и цля ряда элементов íà оцной подложке, постигающий десятков процентов в зависимости or п рименяемой технологии.

Известно также полупровоцниковое запоминающее устройство на основе гетероперехоца из вырожценного полупровоцника и невырожценной полупровоцниковой пленки с ловушками в запрещен» ной зоне, соцержашее контактный элемент,, соэцаюший потенциальный барьер с невырожденным полупроводником. Устройство может быть выполнено на основе гетеропе рехоца 51 - 5И 0 g 23. г

Оцнако напряжение переключения в таком устройстве имеет цовольно значительный разброс по величине в различных местах полупровоцниковой матрицы памяти. Такие значительные отклонения порогового напряжения требуют от схемы управления магрицей памяги существенных усложнений, что, в свою очерець, 3 1005 ведет к увеличению количества элементов схемы управления и к удорожанию такого запоминающего устройства.

Целью изобретения является повышение стабильности работы и увеличение огно- у щения сопротивлений в выключенном и включенном состоянии.

Указанная цель цосгигается тем, что в полупроводниковом запоминающем устройстве на основе гегероперехоца иэ 10 вырожденного полупроводника и невырожденной полупроводниковой пленки с ловуш.ками в запрещенной зоне, содержащем ! контактный элемент, создающий потенциальный барьер с невырожденным полу- И проводником, между вырожденным полу провоцником и невырожценной полупроводниковой пленкой введен слой иэ теннельно-прозрачного диэлектрика.

Туннельно-прозрачный диэлектрик 20 может быть выполнен иэ Sj 0< .

В случае наличия тонкого диэлектрического слоя приложенное напряжение смешения перераспрецеляется межцу слоем 5иО и слоем тонкого диэлек грика. Пленки SiOg могут быть полу чены мегодом окисления в атмосфере кислороца, они имеют очень стабильные параметры (практически разброс по З0 пластине имеет величину менее 1%).

Таким образом, цри том же разбросе параметров пленов 9И0,1 может быгь получена существенно лучшая стабильность порогового напряжения переключения зв счет снижения влияния пленки

5pO+, гак как снижается существенно пацение напряжения на ней; Введение такого слоя позволяет уменьшить разброс порогового напряжения.

223 4

Малый разброс порогового нвпряже-! ния позволяет упростить и удешевить схему управления матрицей, уменьшить в несколько рвз число ошибок в записанной информации и повысить нацежность такого запоминающего устройства. Кроме гого, введение тонкого диэлектрика указанным образом позволяет улучшить отношение сопротивлений в выключенном и включенном состоянии почти на порядок, что обеспечивает надежное считывание записанной информации.

Формула изобретения

Полупровоцниковое запоминающее устройство на основе гегероперехоца иэ вырожценного полупровоцникв и невырожценной полупроводниковой пленки с ловушками в запрещенной зоне, соцержащее контактный элемент, созцаюший потенциальный барьер с невырожденным полупровоцником, î r л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения стабильности работы и увеличения огношения сопротивлений в выключенном и включенном состоянии, между вырожденным полупроводником и невырожценной полупровоцниковой пленкой ввецен слой из туннельно-прозрачного диэлектрика.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

l, Ovshinsky S. R, Reversible ele t

ctrical swithing phenomena in disordered stri cturs. Phys Rer, Letters, 1968, Ч 21; Ж 20, р. 1450-1452.

2. Авторское свицетельсгво СССР по заявке % 2848351/18-2 5, кл. Н 01 4 29/14, (прототип).

Составитель . Корнилова

Редактор М. Петрова Техрец М.Тепер Корректор Л. Вокшан

Заказ 1917/73 Тираж 701 Поцписное.

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по цепам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., ц. 4/5

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4