Способ определения типа проводимости вырожденных полупроводниковых материалов
1. Способ определения типа проводимости вырожденных полупроводниковых материалов, преимущественно с различными эффективными массами электронов и дырок, основанный на сравнении параметров, измеренных на исследуемом материале и эталоне, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения бесконтактного определения типа проводимости приповерхностных слоев, в качестве эталона используют невырожденный полупроводниковый материал, образец и эталон освещают поляризованным светом с длиной волны, не превышающей длины волны красной границы поглощения кр.эт эталона, плавно перестраивают длины волн и находят наименее отстоящие друг от друга и от
кр.эт значения длин волн
1 и
2, для которых равны значения эллипсометрического параметра
образца и эталона, в интервале длин волн
1-
2 снимают и сравнивают зависимости параметров образца
л и эталона
o от длины волны и определяют тип проводимости по знаку разности
(
) =
л-
o:
(
) < 0 - n-тип,
(
)
0 - p-тип.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что параметры л и
o измеряют на одной длине волны, лежащей в интервале
2
1.