Способ приготовления реплик
Союз Соаетских
Социалистических
Реслублик
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
<1н 898284 (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 080280 (21) 2880490/18-21 (53) М. Кд.з
G 01 N 1/28 с присоединением заявки No(23) Приоритет
Государственный комитет
СССР но делам изобретений и открытий
Опубликовано 15,01.82. Бюллетень М 2
Дата опубликования описания 15,0182
1531 УДК 54 3. 053 (088. 8) Специализированное конструкторско-технологйчестсое--.бюро твердотельной электроники с опытным производством института прикладной физики AH -Молдавской CCP (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ РЕПЛИК
Изобретение относится к технологии приготовления объектов для электронно-микроскопических исследований„
Известны способы приготовления объектов для электронно-микроскопических исследований в виде обычных реплик (1).
Однако данные способы не позволяют при исследовании объектов выявить определенное направление на электронно-микроскопическом изображении. Такая задача возникает, например,при исследовании объектов с морфологическими поверхностными неоднородностями в определенных направлениях размером менее 2-3 мм, пленках полупроводников и металлов переменной толщины, выявлении микронеодйородностей полупроводниковых кристаллов и т.п.
Наиболее близким к предлагаемому является способ приготовления самооттененных углеродных реплик, заключающийся в том, что при приготовлении. реплик плоскость объекта располагают под .углом к направлению распростра.нения материала реплики (углерода) в специальном вакуумном устройстве(2).
Однако при дальнейших операциях с репликой происходит неконтролируемый поворот реплики, что делает невозможным соотнесение заданного направления на объекте и его электронномикроскопическом изображении.
Цель изобретения — повышение информативности исследования за счет получения ориентированных относительно объекта реплик.
10 указанная цель достигается тем, что согласно способу приготовления реплик путем вакуумного распыления материала реплики на плоскую поверхность объекта, расположенную под углом к направлению распыления, на поверхность объекта наносят линейную метку, а распыление материала реплики производят в направлении, проекция которого на плоскость объекта параллельна указанной метке. теней На реплике по лученной таким способом, указывает зафиксированное линейной меткой направление.
Например., для исследования объектов, представляющих собой пленки теллурида цинка переменной толщины (0,002-1 мкм) на германиевых пластинах размером 2-3 мм, на их поверхность наносится самооттененная углеродная реплика (под углом оттенения
898284
Формула изобретения
Составитель В. Гаврюшин
Техред Ж.Кастелевич Корректор Г. Orap
Редактор A. Гулько
Тираж 882 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Заказ 11937/58,Филиал ППП. Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
45 ) с помощью данного способа.
Линейную метку наносят в направлении наибольшего изменения толщины пленок.
Использование предлагаемого способв позволяет изучить процессы формирования полупроводниковых гетероструктур теллурид цинка - германий, изменение морфологических характеристик пленок в зависимости от их тол цины, зародышеобразование, рост и коалесценцию кристаллических частиц теллурида цинка при ранних стадиях l0 роста и при автоэпитаксиальном росте.
Способ может быть использован при ориентировании реплик и других объектов для электронной микроскопии . путем их оттенения, например биоло. гических, кристаллических и др. С
его помощью можно исследовать объекты по морфологическим неоднородностям на участках поверхности размером менее 2-3 мм, и тем самым повысить информативность измерений.
Способ приготовления реплик путем вакуумного распыления материала реплики на плоскую поверхность объекта, расположенную под углом к направлению распыления, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности исследования, на поверх ность объекта наносят линейную метку, а распыление материала реплики производят в направлении, проекция которого на плоскость объекта параллельна указанной метке.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СССР
Р 325537, кл . G 01 N 1/28, 1970.
2. Шиммель Г. Методика электронной микроскопии. М., Мир, 1972, с. 117 (прототип).
