Способ получения пленок поликристаллического кремния
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, включающий наращивание затравочного слоя поликристаллического кремния путем гетерогенного разложения моносилана при низкой температуре, прекращение подачи моносилана и доращивание пленки до требуемой толщины, отличающийся тем, что, с целью 1 улучшения однородности пленок по размеру зерна, затравочный слой наращивают толщиной 400-1000 А, после прекращения подачи моносилана проводят отжиг в течение 5-20 мин, и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре наращивания затравочного слоя.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (19) (11) А (51) 4 Н 01 L 21/205
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, . !
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTHA
К ABTGPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2832789/18-25 (22) 26, 10. 79, (46) 15.04.87. Бюл, ))- 14 (72) M. С.Сухов и E. П. Гридчина (53) 621.382(088.8) (56) Патент США )) 4087571, кл, 427-86, опублик. 1979.
Патент Японии М 51-48947, кл, 99/5/ А1, опублик. 1976. (54) (57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, включающий наращивание затравочного слоя поликристаллического кремния путем гетерогенн ого разложения моносилана при низкой температуре, прекращение подачи моносилана и доращивание пленки до требуемой толщины, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью. улучшения однородности пленок по размеру зерна, затравочный слой наращивают толщиной 400-1000 А, после прекращения подачи моносилана проводят отжиг в течение 5-20 мин, и доращивание пленки до требуемой толщины при т емп ератур е наращивания з атравочн ого слоя.
Разброс по— верхностного сопротивления 5R ву
Ом/о
Уход ф от олит ографич еских размеров, мкм
Характеристика зерна ки
Процесс одностадийный, без отжига
Многочисленные матовые пятна на зеркальной поверхности
От очень мелко—
0,88
6-10 го на зеркальной до нескольких мкм на матовой с пятнами поверхности
От очень мелкого на зеркальной
Зеркальная с не— большим количе0,88
6 — l0 ством мелких матовых пятен до нескольких мкм на матовой с пятнами пов-ти
0,44
Очень мелкое
Зеркальная
Отсутствует равномерное зерно
Зеркальная
Мелкое равномерное з ерно
0,66
То же
Процесс 2-стадийный, толши— на 1-ro слоя о
400 А, время отжига 20 мин
3 ер к аль на я
Крупное равномер- 0,44 ное зерно
11 — 15
Процесс 2-стадийный, т олшина 1-r o слоя о
1000 А, время отжига 12, 5 мин
Зеркальная с отдельными матовы— ми пятнами
Небольшой разброс по размеру
0,22
4-8
ВНИИПИ Заказ 1328/2
Тираж 699 Подписное
Произв.-попигр. пр-тие, г. Ужгород, ул . Проектная, 4 что толщина первого слоя пленки поликремния может находиться в пределах о от 400 до 1000 А, а время отжига от 5 до 20 мин, В таблице приведены оптимальные процессы (опыты 3 и 4) и граничные, характеристики которых лежат на грани допусков (опыты 5 и 6) . Для сравнения с известным способом проводился одностадийный процесс без отжига и двухстадийный с переходом на другую температуру (опыты 1 и 2) .
Преимущество предлагаемого способа заключается в том, что без увеличения трудоемкости проведения процесРежим процесса Внешний вид поверхности пленПроцесс 2-стадийный Т 620— о
650 С, толщина 1-го слоя о
600 А, время отжига 40 мин
Процесс 2-ста— дийный, толщина 1-го слоя
600 А, время отжига 12,5мин
Процесс 2-стадий ый, толщи— на 1-го слоя
600 А, время отжига 5 мин са достигается хорошая однородность пленки поликрис тат лического кремния по размеру зерна, что позволяет улучшить качество проведения фотоли— тографических операций по данным пленкам и уменьшить разброс значений поверхностного сопротивления по пластине.
f0 По параметру "внешний вид", являющемуся наиболее легко контролируемым, процент выхода годных пленок по данному двухстадийному способу увеличился на 40Х по сравнению с одноf5 стадийным процессом.
