Способ осаждения слоев двуокисикремния
1ц 508824 о п и с -ж- тт ми
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советскнк
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02.08.74 (21) 2051384/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет
Опубликовано 30.03.76. Бюллетень № 12
Дата опубликования описа1ния 21.05.7 (51) М. Кл. - Н 01 L 21/205
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
153) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения
А. В. Бакун, Б. Г. Анохин, С. H. Рябов и И. И. Лапидус (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ
0,1 — 0,3
Известен способ осаждения слоев двуокиси кремния из газовой фазы, содержащей гомогенную смесь аргона, моносилана, кислорода и фосфорсодержащего вещества.
Недостатком известного способа являются высокие температуры осаждения (пиролиз триметилфосфата СзН904Р при температуре
750 С), что полностью исключает его применение в производстве полупроводниковых приборов на основе германия и интерметаллических соединений, Кроме того, известный способ связан с применением высокотоксичного фосфина, что повышает потенциальную опасность для обслуживающего персонала и затрудняет контроль относительных концентраций легирующего вещества в газовой фазе, чем в свою очередь приводит к невоспроизводимости результатов по концентрации фосфора в слоях.
Целью изобретения является получение структур в широком диапазоне концентраций фосфора, повышение воспроизводимости результатов легирования и обеспечение безопасности процесса.
Поставленная цель достигается тем, что осаждение ведут при температуре 200 — 500 С из гомогенной смеси, включающей в качестве фосфорсодержащего вещества — триметилфосфат при следующем соотношении компонентов, об.%:
Моносилан
Кислород 0,5 — 5,0
Триметилфосфат 10 — з — 10 —
Аргон Остальное
Причем кислород подают в камеру-реактор
5 через время, равное или большее 60 сек, после ввода гомогенной смеси.
Сущность способа осаждения слоев двуокиси кремния для создания планарных полупроводниковых структур заключается в том что
10 на поверхности полупроводника формируют легированный фосфором слой при температурах ниже 500 С осаждением из газовой фазы, применяя гомогенную смесь моносилаиа, паров триметилфосфата, реагирующих с вводи15 мым в определенном соотношении кислородом.
На чертеже представлена схема устройства для реализации предлагаемого способа.
Перед процессом осаждения камеру-реактор 1 продувают аргоном для удаления воз20 духа, затем нагревают полупроводниковые подложки 2, расположенные на вращающемся пъедестале 3 до температуры процесса (200—
500 С) и подают реакционную гомогенную смесь моносилана (путем барботирования че25 рез СзН904Р) и триметилфосфата с концентрациями02 об.% и 210 — об.% соответственно, после чего через 60 сек вводят кислород с концентрацией 1%. Процесс проводят 10 — 20 мин.
Расход газов контролируется при помощи ро30 таметров 4 и регулируется игольчатым нате508824
С оста г и тель Г. Угл ичина
Текред Г. Андреева
Редактор Н. Коляда
Корректор Е. Рожкова
Заказ 1033 7 Изд. № 1224 Тираж 963 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва Ж-35, Раушская наб. д. 475
Типография, пр. Сапунова, 2
KQ1(.лем 5. Для нск, !!Очени1! Контак771 моносllланн 1! Триметилфосфата с атмосферо!! Возд ха предусмотрены запорные вентили 6. Такая система позволяет получать легированные фосфором слои и формировать планарные полупроводниковые структуры воспроизводимо с точностью +-)0% от процесса к процессу и нс дуже +-5% внутри партни.
Формул а изобретения
Способ осаждения слоев двуокиси кремния из газовой фазы, содержащей гомогенную смесь аргона, моносилана, кислорода и фосфорсодержащего вещества, отличающийся тем, что, с целью получения структур в широком диапазоне концентрации фосфора, повышения воспроизводимости результатов легирования и обеспечения безопасности процесса, осаждение ведут нри 200 — 500 С из гомо5 генной смеси, включающей в качестве фосфорсодержащего вещества — триметилфосфат при следующем соотношении компонентов, oo.%:
Моиосилан 0,1 — 0,3
10 ) ислород 0,5 — 5,0
Триметилфосфат 10 — 10
Аргон Остальное причем кислород подают в камеру-реактор через время, равное или большее 60 сек,после
15 ввода гомогенной смеси.
