Электролит для получения легированной оксидной пленки на кремнии

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Электролит для получения легированной оксидной пленки на кремнии, содержащий этиленгликоль, борную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств легированной оксидной пленки как источника диффузии для формирования слоев p-типа в кремнии, в его состав дополнительно введена ортомышьяковая кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%: Борная кислота - 5 - 15 Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см³) - 0,1 - 0,3 Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см³) - 0,001 - 0,01 Этиленгликоль - Остальное

Устройство управления установкой электролитического травления // 576624

Устройство для промывки деталей // 570128

Способ получения диэлектрических покрытий // 551969

Электролит для легирования окисной пленки кремния бором // 545210

Травитель для полупроводниковых материалов // 544019

Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором // 527989

Способ выявления примесной неоднородности в монокристаллах кремния // 526037

Полирующий раствор для антимонида индия // 521620

Способ изготовления полупроводникового прибора // 517279

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости