Способ определения компонент тензора термо-э.д.с.

О П И А Н И (1157860!

ИЗОБРЕТЕНИЯ баюа Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 01.04.76 (21) 2341389/18-25 с присоединением заявки № (51) М. Кл а G OIN 25, 02

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликоьано 30.10.77. Бюллетень ¹ 40 (53) УДК 536.42(088.8) (45) Дата опубликования описания 28.10.77 (72) лвтор изобретения

Ж. К. Панкратова (71) Заян:;тель

Черновицкий ордена Трудового Красного Знамени государственный университет (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОМПОНЕНТ ТЕНЗОРА

ТЕРИО-ЭДС (ń— Е tg -.) (grad T) гг . — (E 1 + E.,ctg () (grad Т) (AT) i, Лх„ гг

1 (Е, +Е, ctg:) = (grad T), (ЛУ,+ У с1К91. (AT)<, Ьхг

Изобретение относится к исслсдованшо термоэлектрических явлений в анизотропных материалах.

Известен способ определения отдельных компонент тензора термо-ЭДС, по которому из монокристаллического слитка вырезают образцы вдоль каждого кристаллографического направления и íà «aждом из них определяют одну из диагональных компонент тензора термо-ЭДС путем создания градиента температуры вдоль образца и измерения составляющей напряженности термоэлектрического поля Егь совпадающей по направлсни.о с градиентом температуры.

Этот метод громоздок, так как нужно иметь образцы по числу диагональных компонент тензора термо-ЭДС, и предъявляет жесткие требования к однородности слитка, из которого вырезаются образцы. Погрешность в конечный результат вносит не только возможное различие образцов по качеству монокристаллической структуры и составу, например, примесей, но и различная обработка образцов, различные условия эксперимента.

Целью изобретения является повышение точности определения и уменьшение трудоемкости эксперимента.

Для этого образец вырезают в крнсталлографической плоскости под углом ср к кристаллографической оси и определяют дополнительно составляющую напряженности термоэлектрического поля E, направленную перпендикулярно к градиенту температуры и по формулам

10 вычисляют компоненты тензора термо-ЭДС.

Оптимальным углом является тр=45, когда поперечная составляющая напряженности термоэлектрического поля максимальна.

15 Чертеж поясняет предлагаемый способ.

Если градиент температуры создан вдоль оси х, (см. чертеж), искомые диагональные компоненты тензора термо-ЭДС аы и аде, относящиеся соответственно к осям х т и х а, вы20 чнсляют по формулам: — (Е, — Е,tgq) = (grad Т), а„

Формула изобретения

1 (ń— Š. tg;)

grad Т (Е„+Е, ctg )

grad T а1 =

22

Составитель С. Беловодченко

Тсхрсд И. Карандашова Корректор Л. Брахнина

Рсдактор Н. Коляда

Подписное

Заказ 2403/7 Изд. № 846 Тираж 1109

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Если градиент температуры создан вдоль оси х2, искомые компоненты тензора термоЭДС вычисляются по формулам: (Е, — Е, с1д ):— (grad T) (AU, — Ду, 2 ctg 9 (ЛТ), Axq (E,+Е,tg ) = (grad Т), аИ,+-Au, - tg, (AT) Лх1 ) где Е и Еа — составляющие напряженности термоэлектрического поля вдоль осей х и х>, (grad Т)1 и (grad Т), — составляющие градиента температуры вдоль осей х и хз, AU> и ЛС4 — разности потенциалов на отрезках Ах1 и Ах>, Ах> и Лхз — линейные размеры образца.

Вторые части приведенных формул справедливы при следующих допущениях: температурное поле имеет линейный характер (grad Т), = (AT; (Ax;) температурной зависимостью коэффициентов термо-ЭДС в интервале температур AT можно пренебречь.

Предложенным способом на образце сурьмянистого кадмия стехиометрического состава, вырезанном в плоскости (100) под углом гр=45 к кристаллографической оси для двух компонент тензора термо-ЭДС при 300 К были получены значения а оо1 — — 325 мкв/град, 5 а „o =149 мкв/град.

Способ определения компонент тензора термо-ЭДС анизотропных материалов путем создания вдоль образца градиента температуры и измерения составляющей напряженности термоэлектрического поля Е и, совпадающей по направлению с градиентом температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и уменьшения трудоемкости эксперимента, образец вырезают в кристаллографической плоскости под углом ср к кристаллографической оси и определяют дополнительно составляющую напряженности термоэлектрического поля Е, направленную перпендикулярно к градиенту температуры и по формулам вычисляют компоненты тензора термо-ЭДС.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что образец вырезают под углом