Кремниевый диффузионный транзистор

Авторы патента:

H01L21/22 - диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11) 546 64 2 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.01.66 (21) 1049454/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.02.77.Бюллетень ЛЪ 5 (45) Дата опубликования описания 05.04.77 (51) М. Кл. -

Н 01 Ь 21/22

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам иэаоретений и открытий (53) УДК 621.382.3 (088.8) (72) Автор изобретения

А.С. Добкин (71) Заявитель (54) КРЕМНИЕВЫЙ ДИФФУЗИОННЫЙ ТРАНЗИСТОР

Известные кремниевые диффузионные транзисторы выполнены с максимальной концентрацией примеси в прилегающей к базе области эмиттера и соответственно максимальным значением градиента концентрации в области перехода эмиттер-база, что, однако, не обеспечивает максимального значения коэффициента усиления по току.

Предложенный транзистор позволяет получать высокие значения коэффициента уси- iO ления по току, обусловленные высоким значением коэффициента инъекции и кремниевых тт -р-тт диффузионных транзисторах.

Особенность описываемого транзистора состоит в обеспечении не максимального зна- 15 чения концентрации примеси в прилегающей к базе области эмиттера и, следовательно, максимального градиента концентрации примеси, а некоторого оптимального значения градиента, составляющего для случая крем- 10 ния, легированного фосфором, 1,5-3,0

10 см

Существование оптимального распределения примеси в прилегающей к базе области эмиттера, обеспечивающего высокое значе- 25 ние коэффициента усиления, связано с сушествованием связи диффузионной длины неосновных носителей тока и концентрацией примеси и приводит к уменьшению времени жизни и коэффициента диффузии, определяющих значение диффузионной длины. В случае если примеси имеют градиент концентрации выше оптимального, малы геометрические размеры активной области эмиттера. Если значение градиента концентрации примеси ниже оптимального, мала концентрация примеси в активной области эмиттера.

Для случая распределения примеси в прилегающей к базе области эмиттера по закоЫкх нуб " оптимальное значение градиента концентрации определяется по формуле

dN 3 д в и ковл, игр 6э р а где N вЂ” концентрация примесей в базе на ов границе с эмиттером; р вЂ” эффективная диффузионная длина в эмиттере, равная 0,6 мк;

Х вЂ” глубина расположения перехода э эмиттер-база;

5- 6042

Составитель О. Федюкина

Редактор М. Кречетова Техред О. Луговая Корректор В. Салка

Заказ 239/2 Тираж 999 Подпис ное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

N z>- характеристическая концентрация чримеси в эмиттерной области, равная 8.1G см " ;

cl вЂ” концентрация дырок.

В предлагаемом приборе по сравнению с ранее существующими улучшены следующие характеристики: увеличено значение коэффициента усиления, уменьшено значение емкости перехода эмиттер-база, увеличено значение пробивного напряженич того же перехода.

Формула изобретения

Кремниевый диффузионный транзистор, отличающийся тем, что, с це5 лью повышения коэффициента усиления, увеличения пробивного напряжения перехода эмиттер-база и уменьшения емкости того же перехода, эмиттер транзистора выполнен с граничной концентрацией примеси в нем

10 на расстоянии от перехода эмиттер-база, равном диффузионной длине в эмиттере.

Похожие патенты:

Патент 418921 // 418921

Способ сборки полупроводниковых приборов // 403362

Способ дозирования источника примеси при диффузии // 322814

Патент 232390 // 232390

Электродный сплав для сплавно-диффузионныхтриодов // 176985

Способ получения p-n перехода для кремниевых диодов // 136476

Способ легирования твердого тела // 2102816

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента // 2146842

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Способ изготовления p-n-перехода, легированного элементами или изотопами с аномально высоким сечением поглощения нейтронов // 2156009

Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства // 2209487

Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих элементов микромеханических датчиков, например подвесов чувствительных маятниковых элементов интегральных акселерометров

Способ легирования кремния фосфором и выращивания оксида на кремнии в присутствии пара // 2262773

Способ получения электропроводящего полианилинового слоя // 2315066

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе

Кассета для групповой диффузионной обработки кремниевых пластин // 2357319

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время диффузионной термообработки при изготовлении полупроводниковых приборов

Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника // 2359355

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур

Способ диффузии бора // 2361316

Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области

Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок // 2371807

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора