Патент ссср 232390

Авторы патента:

H01L21/223 - диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую

О П И С A Н И Е 232390

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союа Соеетскит

Социалистическиа

Республик

Зависимое от авт, свидетельства М

Заявлено 27.11.1967 (№ 1136266/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Кл. 21О, 11/02

МПК Н Oll

УДК 621.382.3 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете йтииистрое

СССР

Опубликовано 11.Х11.1968. Бюллетень № 1 за

1969 г.

Дата опубликования описания 22.11 .1969

Авторы изобретения

Ф. П. Пресс, Г. В. Ржанов, М, А. Верников, А. С. Никонов и С. В. Носиков

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относигся к технологии изготовления полупроводниковых приборов.

Известен способ изготовления планарных транзисторов с эпитаксиальной базой, который обеспечивает наиболее высокую стабильность параметров приборов.

Целью настоящего изобретения является создание планарных структур методом мезатехнологии и тем самым значительное упрощение технологического процесса при улучшенной воспроизводимости.

Для этого на поверхности исходной полупроводниковой пластины создается известными методами базовый слой. Затем на поверхности его создается пассивирующий слой, например окисла. Методами фотолитографии в пассивирующем слое открываются окна для выделения активной области. Затем выделяется область активной базы, и методами фотолитографии открываются эмиттерные окна.

Эти операции сами по себе новизны не представляют, т"ê как являются обычными, широко используемыми в диффузионнойтехнологии и применяемыми в той же последовательности (меза-иланарная технология) . Далее идет операция одновременной диффузии примеси в эмиттер и обнаженные участки меза-столика базы. B результате такой диффузии получается планарная структура, так как на боковой поверхности меза-столика образуется защитный слой, противоположный по проводимости базе, соединенный с коллектором и заходящий под слой пассивирующей пленки (окисла), Защитный слой одновременно является и

5 противоканальным.

Известные способы изготовления планарных структур предусматривают специальные технологические операции ио предотвращению канального эффекта в приповерхностном слое

10 базы. Те» самым предлагаемый способ упрощает планарную технозоьчио и в этом аспекте.

Предлагаемый способ поясняется схемой.

Она содержит исходи»ю пол»проводниковую пластину (коллектор) 1; пассивирующую

15 пленку 2; базовый слой 8; эмиттер 4; защитную пленку обнаженной области 5; контактные окна б.

Предмет изобретения

20 Способ изготовления планарных транзисторов, включающий меза-технологию выполнения базовой области, фотолитографию, планарную техпологшо изготовления эмиттера, отлича ошиися тем, что, с целью обеспечения

25 выхода коллекторного перехода под пассивирующую пленку окисла, упрощения производства транзисторов, после создания меза-области и вытравливания окна под эмиттер проводят диффузию в область эмиттера и боковую

30 поверхность меза-области.

Составитель Федюкина

Редактор О. Филиппова Техред Т. П. Курилко

Корректор А. П. Татаринцева

Заказ 447i 17 Тираж 437 Подниснос

ЦНИИПИ Комитета по делам изобрстсннй н открытий при Совет;. Мипнстров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, lip. Сапунова, 2

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Устройство для диффузии и окисления подложек // 646705

Способ диффузии при изготовлении полупроводникового тензочувствительного элемента // 1105078

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых тензочувствительных датчиков физических величин повышенной точности

Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия // 1435068

Способ получения омического контакта // 1533567

Изобретение относится к электронной технике, в частности к приборам, изготавливаемым на основе эпитаксиальных структур кремния, и может быть использовано в приборах, работающих на сверхвысоких частотах

Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов // 1634050

Способ диффузии бора для формирования р-области // 2524151

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых мощных транзисторов, в частности может быть использовано для формирования активной ρ-области. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностных концентраций и получение равномерного легирования по длине лодочек. В способе диффузии бора процесс проводят с применением газообразного источника - диборана (В2Н6) при температуре 960°С и времени 35 минут на этапе загонки, при следующем соотношении компонентов: азот N2=240 л/ч, кислород O2=120 л/ч и водород Н2=7,5 л/ч, а на этапе разгонки при температуре 1100°С и времени разгонки - 2 часа. Поверхностное сопротивление равно Rs=155±5 Ом/см.