Эпоксидная композиция

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 13.02.75 (21) 2105422/05 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.10,76. Бюллетень № 37 (45) Дата опубликования описания 22.04.77

Союз Советских

Социалистических

Республик (») 530895 (51) М. Кл. " С08 L63/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изооретеннй и открытий (53) УДК

678.643.42 5 (088.8) (72) Автор изобретения

Л. М. Левитский (71) Заявитель (54) ЭПОКСИДНАЯ КОМПОЗИЦИЯ

Изобретение касается получения эпоксидных композиций, применяемых для герметизации и защиты полупроводниковых приборов и микросхем.

Известны эпоксидные композиции, содержащие эпоксидную диановую смолу и отвердитель — борный ангидрид (т), (2) и (3). Недостаткомизвестныхкомпозиций является высокая пористость отвержденных образцов, вызванная гигроскопичностью борного ангидрида и его спекаемостью в процессе прогрева (250-300 С), необходимого для полного удаления 1р влаги. Кроме того, теплостойкость известных композиций не превышает 90 С.

Цель изобретения — повысить теплостойкость и устранить пористость. Поставленная цель достигает- 15 ся тем, что для получения композиции берут отвердитель, представляющий собой обезвоженную при

250-300 С тонкодисперсную смесь 45-77% борного ангидрида с 33-55% аэросила, полученную совместным диспергированием аэросила с борной кислотой в этнловом спирте, при этом количество отвердителя составляет 3-10 вес.ч. на 100 вес. ч. смолы.

Пример. 5-18 вес.ч. порошкообразной борной кислоты добавляют к суспензии 3 вес.ч. аэросила в 50 об.ч. этилового спирта, высушивают сначала при комнатной температуре, затем в течение

3 час при 150 С и 3 час при 250 С.

Композицию, содержащую 10 вес.ч. отверждающей смеси на 100 вес.ч. смолы ЭД-5, выдерживают при 120 С в течение 1" час. Полученные образцы однородны, не содержат пор и обладают деформационной теплостойкостью 130 С (для известной композиции — 90 С) .

Формула изобретения

Эпоксидная композиция, преимущественно для зашиты полупроводниковых приборов и микросхем, содержащая эпоксидную диановую смолу и отвердитель - борный ангидрид,отличающаяся тем, что, с целью повышения теплостойкости и устранения пористости, отвердитель представляет собой обезвоженную при 250-300 С тонкодисперсную смесь 45-77% борного ангидрида с 33-55% аэросила, полученную совместным диспергированием аэросила с борной кислотой в этиловом спирте, при этом количество отвердителя составляет . 3-10 вес.ч. на 100 вес,ч. смолы.

530895

Составитель А. Акимов

TexPeg А. Демьянова

Редактор Л. Ушакова

Корректор Н. Бугакова

Заказ 5401/132

Тираж 630 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная,4

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР N 272432, кл.

С 08 G51/74, 1972 - прототип.

2. Авторское свидетельство СССР Р 214800,кл.

С 08 G 51/74, 1971.

3, Патент США N 3296503, кл. 317-234, 1974.