Стабилизатор тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер транзистора

Авторы патента:

ВИСНАП АРТУР РОБЕРТОВИЧ

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

О П И С А Н И Е (,ц, б. .Ц,ф5

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советсник

Социалистических

Реслублин (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 11.04.74 (21) 2015953/25 (5l) М. Кл.е

G 01 и 31/26 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Государственный комитет

Coaam Ииииотраа СССР ао делам иаобретений и открытий! (43) Опубликовано05.08.76.Бюллетень №29 (53) УДК. 621.382.3 „(088. 8 ) (45) Дата опубликования описания,.05.11.76 (72) Автор изобретения

А. P. Виснап (?1) Заявитель (54) СТАБИЛИЗАТОР ТОКА КОЛЛЕКТОРА И НАПРЯЖЕНИЯ

КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР ТРАНЗИСТОРА

Изобретение относится к эпекгронной .технике и может быть применено дпя изме1

:рения параметров и электрических тренировок попупроводниковых приборов в процессе их производства. 5

Известно устройство j1) для стабипн1зации параметров транзисторов, содержащее импульсный стабилизатор тока эмиттера, стаби. изатор напряжения коллектора, состо,ящий из омического делителя и источника !О опорного напряжения, который через усипигепь постоянного гока соединен e регу пирующим элементом источника коппекгорного напряжения, перехпючагепь пределов измерения, базовые резисторы, усилитель, 15 детектор и индикагор.

Известен также стабилизатор тока коп;лектора и напряжения на коллекторно-эмиттерном переходе транзистора (2), содержащий стабилизированный источник питания, 20 токозадающий резистор, включенный между источником, питания и клеммой для подклю,чения коллектора транзистора, причем втоl рой вывод источника питания соединен с клеммой для цодкпючения эмиггера. 25

Известные стабипиэаторы не обеспечивают гысокой степени стабилизации нанряжения коппекторно-эмиттерного перехода измеряемого, транзистора, а значит, и тока коллектора.

Белью изобретения явпяется повышение,, точности стабипизации.

Поставпенная цепь достигается тем, что в устройство введены трехкаскадный усили-. тель, термостабипизирукиций диод и резисгоры, при этом вход усипитепя„эашунтиро» ,ванного диодом, подкпючен через резистор к клемме дпя подключении коллектора, выход

t усилителя через измеритепьный прибор и второй резистор соединен с клеммой дпя

:подкпючения базы, а клемма дпя подкпючвния эмиттера соединена с общей шиной уси литепя.

На чертеже представлена схема предло,женного стабипизатора тока коллектора и. напряжения коллектор-эмиттер транзистора.

Устройство содержит стабипиэированный, источник питания 1, трехкаскадный усипи,гель 2, измеряемый транзистор 3, резис-! тор 4, измерительный прибор 5, термоста

Стабилизатор тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер транзистора

Устройство для измерения коэффициента усиления мощных транзисторов на границе насыщения // 519656

Устройство для измерения профиля легирующей примеси в полупроводниковых структурах // 517863

Установка для измерения коэффициента полезного действия термоэлектрических батарей // 517095

Измеритель емкости полупроводниковых приборов // 512440

Селективный детектор // 511555

"бесконтактный способ измеренияконцентрации носителей заряда вполупроводниках на свч4 // 508760

Устройство для измерения параметров транзисторов // 505971

Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора // 504990

Устройство для определения перегрузочной способности тиристоров // 504989

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим