Устройство для измерения коэффициента усиления мощных транзисторов на границе насыщения

Авторы патента:

БУНИН ВАЛЕНТИН АЛЕКСАНДРОВИЧ

РЫСКИН ЕФИМ ЗИНОВЬЕВИЧ

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

(и1 519656

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Советских

Соииапистических

Республик. "+ф

l (61) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 24.06.74 (21) 2038613j25 с Присоединением заявки М (51) М. Ел. - G 01К !26

ГосУдаРствеииый комитет (23) 1(ри ри

Совета Министров СССР по пам иао ретеиий- Опубликовано 30.06.76. Бюллетень е 24 (53) УДК 621.382.) (088.8) и открытий

Дата опубликования описания 23.08.76 (72) Авторы изобретения

В. А. Бунин и Е. 3. Рь.скин (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА

УСИЛЕНИЯ МОЩНЫХ ТГАНЗИСТОРОВ

HA ГРАНИЦЕ НАСЫ1ЦЕН ИЯ

Изобретение относится к области электронной техники и может быть применено для измерения параметров транзисторов в процессе их производства.

Известно устройство для измерения коэффициента усиления транзисторов, содержащее импульсный стабилизатор тока эмиттера, стабилизатор напряжения коллектора, базовые .резисторы, усилитель, индикатор (1).

Известно также устройство (2) для измерения коэффициента усиления транзисторов, содержащее импульсный стабилизатор тока коллектора, базовое сопротивление, схему запрета, соединенную с генератором счетных импульсов и со счетчиком.

Известные устройства имеют низкую скорость измерения, что обусловлено ручной установкой равенства напряжения на коллекторе и базе испытуемого транзистора, и невысокую точность измерения вследствие дрейфа измеряемого параметра, вызванного прогревом транзистора на время измерения.

Цель изобретения вЂ” повышение точности и производительности измерений.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство введены дифференциальный усилитель постоянного тока и амплитудно-временной преобразователь, причем один из входов дифференциального усилителя постоянного тока соединен с клеммой для подключения коллектора испытуемого транзистора, клемма для подключения базы соединена с базовым сопротивлением, с входом амплитудно-временного преобразователя и с вторым входом дифференциального усилителя, выход которого соединен с базовым сопротивлением и с вторым входом амплитудно-временного преобразователя, выход которого соединен с входом схемы запрета.

10 Схема описываемого устройства для измерения коэффициента усиления мощных транзисторов на границе насыщения представлена на чертеже.

Устройство содержит дифференциальный

15 усилитель 1, стабилизатор 2 тока коллектора, резистор 3, клеммы 4 для подключения испытуемого транзистора, амплитудно-временной преобразователь 5, схему запрета 6, генератор 7 импульсов и счетчик 8.

2о Устройство работает следующим образом.

При поступлении сигнала «Пуск» на стабилизатор 2 импульсного тока коллектора, последний отпирается и выдает один импульс тока в коллектор испытуемого транзистора. Появление тока вызывает увеличение напряжения на коллекторе транзистора. Это напряжение, прикладываемое к одному из входов дифференциального усилителя постоянного тока, усиливается им и через базовое сопротивление задает ток базы. Нарастание

Устройство для измерения коэффициента усиления мощных транзисторов на границе насыщения

Установка для измерения коэффициента полезного действия термоэлектрических батарей // 517095

Измеритель емкости полупроводниковых приборов // 512440

Селективный детектор // 511555

"бесконтактный способ измеренияконцентрации носителей заряда вполупроводниках на свч4 // 508760

Устройство для измерения параметров транзисторов // 505971

Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора // 504990

Устройство для определения перегрузочной способности тиристоров // 504989

Устройство для измерения постоянной времени коллекторной цепи транзистора // 502344

Импульсный измеритель остаточного напряжения транзисторов // 500510

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим