Способ измерения напряжения отсечки полевых транзисторов

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДИТИДЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 11.11.73 (21) 1970403/25 с присоединением заявки №

Союз Советских

Социалистических

Республик. Кл.е

0l К 31/26 (23) Г1риоритетГосударственный комитет

Совета Министров СССР оо делам иэооретений и открытий (43) Опубликовано05.08.76. Бюллетень № 29 (45) Дата опубликования описания 05 11 76

ДК 621.382.3 (088.8) (72) Автор, изобретения

В. Л. Свирид

Минский радиотехнический институт (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ОТСЕЧКИ

ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Изобретение относится к измерительной

1технике, -предназначено для измерения на пряжения отсечки тока стока. полевых тран зисторов и может быть использовано для ! исследования характеристик полевых гран зисторов в режиме управляемого сопротив-! ления.

Известен способ измерения зависимости проводимосги транзистора от напряжения

|на затворе (1), при котором транз: тор

,включают в контур автогенератора и опре. деляют потери, вносимые в контур при из, менении напря ения на затворе, Этот способ не позволяет достаточно точно измерять !, напряжение отсечки.

Известен способ измерения напряжения отсечки полевого транзистора 12), заклю,чающийся в регистрации зависимости тока gp .стока транзистора ог напряжения на затворе.

При этом полевой транзистор использу,ют в усилительном режиме, для когорого, эависимосгь гока стока от напряжения затвора1 =x(Q ц) сушественнс отлича 2 ется от линейной (она близка к квадратич ной). Поэтому трудно зафиксировать напря

;жение затвора, при котором ток стока прек,ращается, что приводит к погрешностям в, измерениях.

И звестен способ измерения напряжения отсечки полевых транзисторов, при котором, пропускают ток через исток-сток транзис. -м тора, подают смешение на затвор и регист» ,рируют зависимость тока стока or напряжения на затворе I3J . Данный способ также, не обеспечивает высокой точности иэмере-! ! ний.!

Цепью изобретения является повышенйе, точности измерений.

Поставленная пель (достигается благодаIps тому, что в одной из точек характеристики проводимости канала от напряжения на затворе измеряют значения производной вЂ” (U +)- и величину проводимости

dG о то-u

C(u 1 по которым и судят об измеряемом параметре.

В режиме управляемого i сопротивления

Способ измерения напряжения отсечки полевых транзисторов

Устройство для измерения профиля легирующей примеси в полупроводниковых структурах // 517863

Установка для измерения коэффициента полезного действия термоэлектрических батарей // 517095

Измеритель емкости полупроводниковых приборов // 512440

Селективный детектор // 511555

"бесконтактный способ измеренияконцентрации носителей заряда вполупроводниках на свч4 // 508760

Устройство для измерения параметров транзисторов // 505971

Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора // 504990

Устройство для определения перегрузочной способности тиристоров // 504989

Устройство для измерения постоянной времени коллекторной цепи транзистора // 502344

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим