Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур

 

Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур, основанный на измерении отраженного света, отличающийся тем, что, с целью проведения неразрушающего контроля распределения ширины запрещенной зоны по толщине структуры, производят спектральные измерения дифференциальных изменений сдвига фаз при -модуляции светового луча.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области измерений в теплофизике и теплотехнике

Изобретение относится к методам исследования биологических, биохимических, химических характеристик сред, преимущественно биологического происхождения и/или контактирующих с биологическими объектами сред, параметры которых определяют жизнедеятельность биологических объектов

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для экспресс-контроля разливов нефти и нефтепродуктов в морях и внутренних водоемах

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля интегральных параметров лучистого теплообмена мобильных и стационарных объектов окружающей среды

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля интегральных параметров лучистого теплообмена мобильных и стационарных объектов окружающей среды

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля интегральных параметров лучистого теплообмена мобильных и стационарных объектов окружающей среды

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля интегральных параметров лучистого теплообмена мобильных и стационарных объектов окружающей среды

Изобретение относится к устройству и способу для проведения, в частности, количественного флуоресцентного иммунотеста с помощью возбуждения кратковременным полем
Наверх