Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур
Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур, основанный на измерении отраженного света, отличающийся тем, что, с целью проведения неразрушающего контроля распределения ширины запрещенной зоны по толщине структуры, производят спектральные измерения дифференциальных изменений сдвига фаз при -модуляции светового луча.
Похожие патенты:
Патент 411356 // 411356
Патент 407214 // 407214
Патент 401914 // 401914
Идентификатор в. ф. ветрова // 287354
Экспресс-рефлексометр // 266264
Изобретение относится к области измерений в теплофизике и теплотехнике
Изобретение относится к методам исследования биологических, биохимических, химических характеристик сред, преимущественно биологического происхождения и/или контактирующих с биологическими объектами сред, параметры которых определяют жизнедеятельность биологических объектов
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для экспресс-контроля разливов нефти и нефтепродуктов в морях и внутренних водоемах
Способ определения альбедо (варианты) // 2145074
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля интегральных параметров лучистого теплообмена мобильных и стационарных объектов окружающей среды
Способ определения альбедо (варианты) // 2145075
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля интегральных параметров лучистого теплообмена мобильных и стационарных объектов окружающей среды
Способ определения альбедо (варианты) // 2145076
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля интегральных параметров лучистого теплообмена мобильных и стационарных объектов окружающей среды
Способ определения альбедо // 2145077
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля интегральных параметров лучистого теплообмена мобильных и стационарных объектов окружающей среды
Изобретение относится к устройству и способу для проведения, в частности, количественного флуоресцентного иммунотеста с помощью возбуждения кратковременным полем