Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

гОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (1 1) 48 И45

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено20.11.72 (21) 1847999/26 21

l с присоединением заявки № (51) М. Кл.

И Olc 7/00

Государственный коим

Совета Министров Gt;N па делам изооретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08 75Бюллетень № 81 (45) Дата опубликования описания О1 12 75 (53) УДК

021.396.6 (088.8) (72) Авторы изобретения

Б. А. Бочкарев и В. А. Бочкарева (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

1

Изобретение относится к радиотехнике,- .

Известен резистивный материал, содержаший металлосилицидный сплав и окисел лантаноида.

Однако резисторы, изготовленные из известного материала, обладают большой э.д.с. шумов.

Целью изобретения является снижение э.д.с. шумов резисторов.

Для этого указанные компоненты взяты

1в следуюшем количественном соот.ношении, вес.%.

Металлосилицидный сплав 1 1-80

Окисел лантаноида 20-89.

В зависимости от необходимости полу чения той или иной величины сопротивления резистора смешивают в требуемом соотношении порошки металлосилицидного сплава и одного из окислов лантаноидов и наносят испарением в вакууме или распылением в плазме на диэлектрические осн»вания.

Для получения более высокоом1тых

;резисторов с малой э.д.с. шумов увеличивают содержание окислов лантанотщов.

Для получения резисторов с малой э.д.с. шумов содержание этих окислов уменьш нот.

10 Предмет изобретения

Реэистивный материал, содержаший мь . таллосилицидный сплав и окисел лантаноида отличаюшийсятем,что,с

; целью снижения э.д.с. шумов резистор»», 15

: указанные компоненты взяты в следуюцн. м ( о количественном соотношении, вес. /

Металлосилицидный сплав 1 1-80

Окисел лантаноида 2 0-89.

Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх