Магниторезистор

Авторы патента:

H01C7/16 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

О П И С А Н И Е (11) 48Î"ll9

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08.06.64 (21) 903566/24-7 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 05.08.75. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 12.11.75 (51) М Кл Н Olc 7/16

1еердаротвеииый комитет

6евета 1йиииотрев СССР те делам изебретеиий и открытий (53) УДК 621.316.89 (088.8) (72) Автор изобретения

Н. А. Осечкин (71) Заявитель Всесоюзный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт электромеханики ф()Ф1 Д (54) МАГНИТОРЕЗИСТОР

Описываемое изобретение относится к области электротехники, в частности к области конструирования магниторезисторов.

Известен магниторезистор, представляющий собой полупроводниковую пластину с нанесенными на ней электродами.

Недостаток известного магниторезистора заключается в том, что он может работать при малых токах, а также в трудности прямого регулирования.

Целью изобретения является использование его в качестве чувствительного элемента систем прямого регулирования.

Это достигается тем, что полупроводниковая пластина выполнена прямоугольной формы и снабжена двумя осесимметричными электродами: внешним, замкнутым по периметру пластины, и внутренним, линейно нанесенным вдоль оси симметрии пластины.

На фиг. 1 изображен предлагаемый магниторезистор; на фиг, 2 вЂ” схема включения магниторезистора.

Магниторезистор состоит из полупроводниковой пластины 1 прямоугольной формы, на

5 которую нанесен внешний замкнутый по периметру электрод 2, и внутренний,вЂ” линейно нанесенный вдоль оси симметрии 3.

Предмет изобретения

Магниторезистор, представляющий собой полупроводниковую пластину с нанесенными на ней электродами, отл ич а ю щи и с я тем, что, с целью использования его в качестве

15 чувствительного элемента систем прямого регулирования, полупроводниковая пластина выполнена прямоугольной формы и снабжена двумя осесимметричными электродами: внеш ним, замкнутым по периметру пластины, и

20 внутренним, линейно нанесенным вдоль оси симметрии пластины.

480119 моиг t

4виг.8

Составитель А. Артюшин

Техред T. Миронова Корректор В. Брыксина

Редактор В. Фельдман

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 2749/13 Изд. Ко 949 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Похожие патенты:

Резистивный материал // 471613

Резистивный материал // 470868

Фоторезистор ультрафиолетового излучения // 458041

Фоторезистор // 451130

Резистивный материал // 439851

Токопроводящий материал // 434484

Резистор для шунтирования контактов дугогасительного устройства выключателя высокого напряжения // 433545

Патент 423178 // 423178

Патент 415734 // 415734

Патент 387439 // 387439

Резистивно-проводящий материал // 2117348

Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Тонкопленочный терморезистор // 2120679

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Прецизионный тонкопленочный чип-резистор // 2123735

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Композиционный материал для изготовления резистора для свечи зажигания // 2138090

Изобретение относится к электронной технике для изготовления объемных композиционных резисторов, применяемых в свечах зажигания для двигателей внутреннего сгорания

Резистивный материал // 2141141

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, для изготовления толстопленочных пассивных элементов и газоразрядных индикаторных панелей на стеклянной подложке

Резистивный материал // 2142658

Изобретение относится к электротехнике может быть использовано при формировании пленочных резисторов с высоким удельным сопротивлением и высокой температурной стабильностью в диапазоне рабочих температур до 400oC

Терморезистивный материал // 2154868

Изобретение относится к области материаловедения, в частности к процессам синтеза оксидных терморезистивных материалов, и может быть использовано для изготовления материалов электронной техники

Состав для получения резистивной пленки // 2159475

Изобретение относится к составам для получения толстых резистивных пленок, используемых в толстопленочных резисторах и пленочных электронагревателях

Состав для получения резистивной пленки // 2159476

Изобретение относится к составам для получения толстых резистивных пленок, применяемым в толстопленочных резисторах и пленочных электронагревателях

Емкостный датчик давления и способ его изготовления // 2171455

Изобретение относится к измерениям и предназначено для измерения давления в промышленных условиях