Фоторезистор ультрафиолетового излучения

Авторы патента:

H01C7/08 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

О П И C А Н И Е (и) 458 04l

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт, свидетельства (22) Заявлено 14.05.73 (21) 1920596/24-7 с присоединением заявки №

Государственный комитет (32) Приоритет

Совета Министров СССР

Опубликовано 25.01.75. Бюллетень № 3 по делам изобретений (51) М. Кл. H 01с 7/08 (53) УДК 621.316.86 (088.8} и открытий

Дата опубликования описания 11.03.75 (72) Авторы изобретения

С. И. Радауцан и В. Ф. )Китарь

Институт прикладной физики AH Молдавской ССР (71) Заявитель (54) ФОТОРЕЗИСТОР УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО

ИЗЛУЧЕНИЯ

Предмет изобретения

Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам лучистой энергии, предназначенным для работы в оптоэлектронных измерительных цепях, схемах автоматической регистрации и контроля излучения, в частности к фоторезисторам.

Известные фоторезисторы, содержащие светочувствительный элемент на основе соединений кадмия и нанесенные на него электрические контакты, охватывают узкую область спектра. 11оэтому в интервале длин волн

0,3 вЂ” 0,4 мкм необходимо использовать несколько фоторезисторов, изготовленных из смеси материалов системы ZnS вЂ” CdS. Однако последние обладают относительно малой чувствительностью и изготавливаются по сложной технологии, Цель изобретения вЂ” получение высокой чувствительности спектра 0,255 вЂ,46 мкм.

Для этого светочувствительный элемент выполнен из нелегирова нного тиогаллата кадмия CdGa2S4, а электрические контакты нанесены на него с расстоянием между ними 0,5вЂ”

800 мкм.

Электрические контакты могут быть произвольной конфигурации. Омичные электроды и токоведущие контакты выполнены из обычных металлов. Фоторезистор смонтирован в герметичном корпусе аналогично фототриоду

Ф1 с кварцевым окном. Форма и размеры фоточувствительного элемента и корпуса мо5 гут видоизменяться.

Основные параметры фоторезистора (ТвЂ”

300 К): темновое сопротивление 0,1вЂ”

1,2 10" ом, рабочая спектральная область о

2550 вЂ” 4600 А, длина волны максимальной чув10 о ствительности Л,„ = 3520 А, относительная фоточувствительность при плотности светового потока 2,3 ° 10 вЂ” вт/см вЂ” 10 .

Фоторезистор ультрафиолетового излучения, содержащий светочувствительный эле20 мент на основе соединений кадмия и нанесенные на него электрические контакты, отл и ч а ю шийся тем, что, с целью получения высокой чувствительности в области спектра

0,255 вЂ,46 мкм, в качестве указанного соеди25 нения взят нелегированный тиогаллат кадмия

CdGa S4, а электрические контакты нанесены с расстоянием между ними 0,5 вЂ” 800 мкм,

Фоторезистор ультрафиолетового излучения

Похожие патенты:

Фоторезистор // 451130

Резистивный материал // 439851

Токопроводящий материал // 434484

Резистор для шунтирования контактов дугогасительного устройства выключателя высокого напряжения // 433545

Патент 423178 // 423178

Патент 415734 // 415734

Патент 387439 // 387439

Резистивный материал // 382151

Композиционный резистор // 376815

Способ получения фоточувствительпых слоев // 370278

Резистивно-проводящий материал // 2117348

Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Тонкопленочный терморезистор // 2120679

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Прецизионный тонкопленочный чип-резистор // 2123735

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Композиционный материал для изготовления резистора для свечи зажигания // 2138090

Изобретение относится к электронной технике для изготовления объемных композиционных резисторов, применяемых в свечах зажигания для двигателей внутреннего сгорания

Резистивный материал // 2141141

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, для изготовления толстопленочных пассивных элементов и газоразрядных индикаторных панелей на стеклянной подложке

Резистивный материал // 2142658

Изобретение относится к электротехнике может быть использовано при формировании пленочных резисторов с высоким удельным сопротивлением и высокой температурной стабильностью в диапазоне рабочих температур до 400oC

Терморезистивный материал // 2154868

Изобретение относится к области материаловедения, в частности к процессам синтеза оксидных терморезистивных материалов, и может быть использовано для изготовления материалов электронной техники

Состав для получения резистивной пленки // 2159475

Изобретение относится к составам для получения толстых резистивных пленок, используемых в толстопленочных резисторах и пленочных электронагревателях

Состав для получения резистивной пленки // 2159476

Изобретение относится к составам для получения толстых резистивных пленок, применяемым в толстопленочных резисторах и пленочных электронагревателях

Емкостный датчик давления и способ его изготовления // 2171455

Изобретение относится к измерениям и предназначено для измерения давления в промышленных условиях