Способ эталонного измерения параметров решетки монокристаллов

О П И С А Н И Е (») 4--.

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистимеских

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 24.07.73 (21) 1948044/26-25 (51) М. Кл. с присоединением заявки ¹Q 01 тт 23/20

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий (23) ПриоритетОпубликовано 25.04.75» Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 22.04,75 (53) УДК 621 386 (088. 8) (72) Автор изобретения

В. М. Генкин

Горьковский исследовательский физико-технический институт Горьковского (71) Заявитель государственного -университета им. Н. И. Лобачевского

r (54) СПОСОБ ЭТАЛОННОГО ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ РЕШЕТКИ

МОНО КРИСТАЛЛОВ

На чертеже приведена схема хода лучей при измерении параметров кристаллической решетки по предложенному способу.

Исходящие из источника Я рентгеновские лучи отражаются от кристалл-монохроматоров К . К, К и сходятся на прове1 2 3 ряемом участке исследуемого монокристал ла К, отражаясь от которого регистрируются детекторами Д ll, Ll

1 2 3

Изобретение относится к рентгеноструктурному анализу, в частности к эталонным методам определения параметров элементарных ячеек кристаллических решеток.

Известен способ эталонного определения 5 параметров элементарных ячеек по методу двухкристального спектрометра.

Однако известный способ характеризуется недостаточной точностью измерения изменений брэгговских углов.

Белью изобретения является повышение точности измерений, Для этого на выбранной точке исследуемого кристалла одновременно фокусируют не менее двух рентгеновских пучков под, 15 углами, соответствующими различным брэгговским углам, производят поворот исследуемого кристалла и измеряют угол между его отражающими положениями.

Кроме того, на исследуемый кристалл фокусируют пучки под углами, соответствующими различным порядкам отражения от одной системы кристаллографических плоскостей, 25

Используя преддоженный способ рентгеновского монокристального спектрометра, регистрируют отражения различных систем атомных плоскостей исследуемого кристалла, принадлежащих к зоне, ось которой совмещена с осью поворота исследуемого кристалла при дифрактометрировании (см. на чертеже расположение кристалл-монохроматоров К и К ) и регистрируют различные

1 3 порядки отражения от данных систем атомных плоскостей (см. на чертеже расположение кристалл-монохроматоров К и К ), 1 2

Процесс дифрактометрии осуществляют следующим образом.

468139

Исходящие из одного источника рентгеновские лучи падают одновременно на все кристалл-монохроматоры, отражаясь от которых сходятся на контролируемом участке исследуемого кристалла. 5

Исследуемый кристалл поворачивают вокруг оси, перпендикулярной плоскости, в которой лежат падающие на него и отраженные от него рентгеновские лучи. Регистрируюшее устройство каждого детектора 10 записывает кривую отражения с одним из регистрируемых брэгговских максимумов.

Раздельная запись исключает наложение брэгговских максимумов, а обшая координатная ось углов поворота исследуемого кристалла позволяет непосредственно измерять углы между ними, равные искомым приращениям разности брэгговских углов отражения рентгеновских лучей от исследуемого монокристалла. 20

Дополнительно оказывается возможным получать информацию о формах кривых брэгговских максимумов различных углов отражения без перестройки рентгеновского спектрометра. 25

В качестве примера рассмотрим оцределение относительной деформации атомной решетки исследуемого кристалла.

Дифференцируя формулу Вульфа - Брэгга

26.8ю6=ИЪ для углов g

1 2 принадлежаших различным порядкам отражения от одной системы кристаллографиче=ких плоскостей, находим 9 92 ° (2)

Ь*

А

Отсюаа (3)

Угол между отражающими положениями исследуемого кристалла Ь = + +Ь9 -ЬО( по условию эксперимента (знак + выбирают в зависимости от направления поворота кристалла).

Окончательно получаем

ЬА + Ьф фа t,ф1

Предмет изобретения

1. Способ эталонного измерения парамет» ров решетки монокристаллов по методу двухкристального спектрометра, о т л и ч а юш и и с я тем, что, с целью повышения точности измерений, на выбранной точке исследуемого кристалла одновременно фокусируют не менее двух рентгеновских пучков под углами, соответствуюшими различным брэгговским углам, производят поворот исследуемого кристалла и измеряют угол между его отражающими положениями.

2.Способпоп. 1, отличающийс я тем, что на исследуемый кристалл фокусируют пучки под углами, соответствующими различным порядкам отражения от одной системы кристаллографических плоскостей.

468139

Заказ

Изд. М /g/ Тираж 9О 1 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

ФКМП Зак. 13747 Тир.802

Составитель К,Ко онов

РедактоРА Зии,ьк >нкид ТехРед 1л К р пп<> фоРРектоР Д К >тово