Интегральная схема

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН Ия

К ПАТЕНТУ и 457237

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимый от патента (61) Заявлено 21.06.67 (21) 1165909/26-25 (51) М. Кл. H 01L 19/00 (32) Приоритет 01.07.66 (31) 562169 (33) Соединенные Штаты Америки

Опубликовано 15.01.75. Бюллетень № 2

Государственный комитет

Совета й1иннстров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК, 621.382(088.8) Дата опубликования описания 05.02.75 (72) Автор изобретения

Иностранец

Гене Гоен (Соединенные Штаты Америки) (71) Заявитель

Иностранная фирма

«РКА Корпорейшн» (Соединенные Штаты Америки) (54) И НТЕ ГРАЛ ЬНАЯ СХЕМА

Настоящее изобретение относится к области микроэлектроники, а именно, к области полупроводниковых интегральных схем.

Известны полупроводниковые интегральные схемы, имеющие подложку р-типа проводимости с высоким удельным сопротивлением, на которой выращен эпитаксиальный слой п-типа проводимости, содержащий диффуционные области, образующие активные и пассивные компоненты схемы. Компоненты интегральной схемы объединяются в функциональную схему посредством металлических проводников, расположенных на поверхности эпитаксиального слоя над маскирующим окислом.

Соединение различных точек цепи производится при помощи металлических проводящих дорожек, что приводит к наличию различных .потенциалов,в точках, так как размеры проводящих дорожек малы и на них наблюдается значительное падение напряжения. Кроме того, наличие проводящих дорожек приводит к ограничению частотного . диапазона работы устройств.

С целью повышения, надежности соединения областей, подлежащих подсоединению к точке общего потенциала, используются полупроводники одного типа проводимости, например, р и р+, На чертеже приведена схема участка цепи.

Монолитная полупроводниковая цепь содержит металлический слой 1, на котором установлена пластина, выполненная из монокрн5 сталла кремния. Пластинка 2 содержит нижний слой 3 из материала р-типа с низким сопротивлением. Этот слой обозначен р+ и имеет толщину 0,2 мм при удельном сопротивлении

0,1 ом/см. Промежуточный слой 4 из матери10 ала р-типа обладает высоким удельным сопротивлением от 2 до 50 ом/см, его толщин:

0,015 мм. Верхний слой выполнен из материала п-типа, имеющего удельное сопротивление от 0,1 до 5 ом/см и толщину 0,01 мм. Элемен15 ты цепи расположены в слое 5. Одним из элементов является транзистор 6, который содержит базу р-типа, область эмиттера 8 п-типа и область коллектора 9. Под областью коллектора 9 находится полость 10 пз материала и+20 типа, которая может быть получена диффундированием в слой п соответствующих примесей. Наличие полости 10 компенсирует действие паразитного рпр-типа транзистора, образуемого из части области 7 р-типа, слоя

25 коллектора 5 п-типа и слоя 3 р+-типа. Резистор 11 образуется областью 1, имеющей регулируемые размеры и переменное содержание примесей. Полость 13 и+-типа может вхо457237

23 2Ф 11 12 25 16 15

1g 19 77 7 81В6 21 22 9 111 о

Составитель А, Штейн

Техред Е. Борисова

Редактор Л. Цветкова

Корректор Т. Хворова

Заказ 504/18 Изд. № 1061 Тираж 833 Подписное

Ц11ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 дить в состав слоя 4 ниже резистора 11 и способствует устранению паразитных связей.

Области 14 и 15 р+-типа окружают составные элементы цепи, например транзистор 6, и служат для их электрической экранировки.

Поверхность слоя 5 покрыта защитным слоем 16, за исключением входного контакта, который подходит к эмиттеру 8 транзистора 6.

Поверх защитного слоя 16 расположена металлическая полоса 17, соединяющая эмиттер

18 с изолирующей областью 14. Соединение 19 металла с областью 20 производится через отверстие в слое 16. Область изоляции 14, являющаяся составным элементом токопроводящей цепи между эмиттером 8 и слоем 3, проходит через слои 5 и 4. Транзистор имеет контакт базы 21 и контакт коллектора 22. Металлическая полоса 23, проходящая поверх слоя 16, соединяет контакт 24, к которому подключен резистор 11 с областью 15. Область 15, проходя через слои 4 и 5, соединяется со слоем 3. Второй контакт резистора 11 обозначен 25. Нижний слой 3 служит общей шиной, к которой может быть подключено желаемое количество элементов с общей потенциальной точкой.

Предмет изобретения

Интегральная схема, содержащая высокоомную подложку первого типа проводимости с расположенными на одной стороне первым слоем противоположного типа проводимости, l0 содержащим элементы схемы с электродами и диффузионные изолирующие области, и вторым низкоомным слоем первого типа проводимости на другой стороне и диффузионные изолирующие области первого типа проводи15 мости, проходящие от поверхности первого слоя до второго низкоомного слоя, отличаю щ а я с я тем, что, с целью повышения надежности соединения областей, подлежащих подсоединению к точке общего потенциала, 20 участки изолирующих диффузионных областей, выходящие на поверхность, имеют контакты, соединенные проводниками с электродами элементов схемы.