Раствор для удаления защитного рельефа, сформированного из позитивного фоторезиста на основе нафтохинондиазидов и фенолформальдегидных смол

О П И С А Н И Е ((()4553!2

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства—

Союз Советских

Социалистических

Республик (51) М.Кл. G 03с 1/68 (22) Заявлено 19.07.73 (21) 1949486/23-4 с присоединением заявки ¹â€” (32) Приоритет—

Оп блнковано 30.12.74. Бюллетень № 48

Государственный комитет

Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий (53) УДK 771.5 (088.8) Дата оп убл икова ни я описания 31.03.75 (72) Авторы

5! 300 P (T 0 I I I15l

А. А. Родионова н А. Ф. Евстифеева (71) Заявитель (54) РАСТВОР ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ЗАЩИТНОГО РЕЛЬЕФА, СФОРМИРОВАННОГО ИЗ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА

НА ОСНОВЕ НАФТОХИНОНДИАЗИДОВ И

ФЕНОЛФОРМАЛЬДЕГИДНЬ1Х СМОЛ

Изобретение относится к фотолитографии.

Известен раствор для удаления защитного рельефа, сформированного из позитивного фоторезиста на основе нафтохинондгиазидов и феполформальдегидных смол, с поверхности кремниевых пластин, состоящий из перекиси водорода и гидроокиси аммония. Однако этот раствор недостаточно полно удаляет защити(ый рельеф и оргагнические загрязнения с поверхности полупроводниковых пласти:I.

Целью изобретения является эффективное удаление рельефа и повышение чистоты по,верхности полупроводника.

Для этого в раствор введен этилешлнколь нпри следующем соотношении компонентов, об. ч.:

Перекись водорода (— 10% -ная) 12

Эт ИЛЕ и ГЛгн КО I b 1

Гидроокись аммония 2

Время проведения процесса удаления рельефа этим раствором ITplI температуре 60 — 80 С составляет — 15 мин.

Этиле((гликоль является хорошим растворителем п0.7пмерных материалов сам по себе и в композиции с МН„ОН. К тому же он является хорошгим комплексообразователем для гидроокнсей больш:шства металлов, в том числе дляСп,К,Ха.

Перегд(сь водорода является хорошим окис,7нтеле:(1 кс(к в к((слой, TBI(и В щелочной cp03L .

Э(от окислитель окисляет этиленг.7иколь до щавелевой кислоты, а последнюю до СО и

НеО, что оолегчает утилизацию отходов.

Предлагаемый раствор имеет следующие преиы щества: совмещается операция удаления позитивного фоторезпста с операцией химической обработки поверхности кремниевых пластин перед диффузионным процессом и формированием пленки на ней; повышается эффективность удаления познти Внъ|х фо Горезистов, поддвергн1 тых 1 ак низl О-, так и высокотемпсратурному дублению; улучшасгся чистота поверхностей кремниеьых пласт(гн;

15 1 ключается применение агрессивных кислог, Н.ЯО., НХОа) и легковоспламе»»omIIxся жидкостей; допустима утилизация отработанного раствора в кислотно-щелочной канализации;

20 i р,(ол:1 !ITс7ьностъ техн070гического пpоцссса уд;lле.! IIII 3а IIITI!011 полимерной маски с нозсрхности пластин сокращается в 2 — 3 раза по сравне(н(ю с процессом, где для удалеьп1я рельефа применяется раствор на основе гидро2б окиси Bill!0111151 и перекиси водорода.

Г1 р и м е р. раствор для удаления защитного рельефа, сформированного из позитивного фоторезпста на основе нафтохинондиазидов и фенол(рормальдегндных смол прпготав7ива(от слнванием в стек75! IIIIIII 1 сосуд 12 оо. ч.

455312

Предмет изобретения

Составитель А. Мартыненко

Техред Г, Дворина

Редактор О. Юркова

Корректор Н. Аук

Заказ 123 Изд. М 1950 Тираж 506 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР

Ito делам ll306ðåòåíèé и открытий

Москва, >К-З5, Раушская наб., д. 4/5

Обл. тип. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли

10/о-нои НзОз, 1 оо. ч. СзНаО> >и 2 об. ч.

NH40H. Раствор нагревают до температуры

60 — 80 С. B него помещают кассету с крем ниевыми пластинами, па окисленной поверхности которых имеется защитная полимерная маска и выдерживают в тече>ние 15 — 20 мин. Кассету с пластинами вынимают н опускают в деионизованную воду, в которой возбуждается ультразвуковая волна, выдерживают в течение

3 мин и сушат в вакуумном шкафу. Этот раствср можно использовать еще >раз, после чего его выливают в кислотную канализацию. Критерием чистоты окисленной поверхности кремния является ее гидрофильность (краевой угол смачивания водой равен нулю), а также отсутствие на поверхности светящихся точек в темном поле оптического микроскопа.

PclcTB0p для удаления защитного рельефа, сформированного из позитивного фоторезиста на основе нафтохинондиазидов и фенолформальдегидHblx смол, с поверхностей кремниевых пластин, содержащий перекись водорода и гидроокись аммония, отличающийся тем, что, с целью эффективного удаления рельефа и

10 повышения чистоты поверхности полупроводника, в его состав введен этиленгликоль при следующем соотношении компонентов, оо. ч.:

Перекись водорода (— 10 /в -ная) 12

Этиленгликоль 1

15 Гидроокись аммония 2