Способ снятия фоновых загрузок с толстослойных ядерных эмульсий

 

1. СПОСОБ СНЯТИЯ ФОНОВЫХ ЗАГРУЗОК С ТОЛСТОСЛОЙНЫХ ЯДЕРНЫХ ЭМУЛЬСМ, отличающийся тем, что, с целью обеспечения полного снятия фона легких частиц, по сравнению с сохраняемыми следами тяжелых частиц, эмульсию пропитывают водой при 10-25'*С в течение 90-50 с соответственно, подвергают действию импульсного электрического поля продолжительностью 30-60 с, экспонируют, а затем выдерживают 1-2 су^т и проявляют.2. Способ ПОП.1, отличающийся тем, что,"С целью повышения интенсификации процесса, эмульсию подвергают воздействию импульсного электрического поля напряженностью 10''^ в/см при частоте следования 100-300 имп/мин и длительности импульса 5-70 мкс.СП

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11 (51) 4 С 01 Т 5/1О

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 1737392/26-25 (22) 10.01.72 (46) 30.04.87. Бюл. Р 16 (71) Ереванский физический институт (72) А.Б. Акопова и Н.В. Маградзе (53) 621.384.66(088,8) (56) Веприк Я.М., Алмазова С.П., Трухин М,И. и Фаерман Г.П. Физическое проявление ядерных эмульсий, Сб, Ядерная фотография, Труды Третьего Международного совещания, 12-17 июля, 1960, Москва, N.: АН СССР, 1962, с. 302-308. (54)(57) 1. СПОСОБ СНЯТИЯ ФОНОВЫХ

ЗАГРУЗОК С ТОЛСТОСЛОЙНЫХ ЯДЕРНЫХ

ЭМУЛЬСИЙ, отличающийся тем, что, с целью обеспечения полного снятия фона легких частиц, по сравнению с сохраняемыми следами тяжелых частиц, эмульсию пропитывают водой при 10-25 С в течение 90-50 с соответственно, подвергают действию импульсного электрического поля продолжительностью 30-60 с, экспонйруют, а затем выдерживают 1-2 сут и проявляют.

2. Способ по п.1, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повыщения интенсификации процесса, эмульсию подвергают воздействию импульсного электрического поля напряженностью 10 в/см при частоте следования 100-300 имп/мин и длительности импульса 5-70 мкс.

447655

Te>ÐeÀ И. Попович

Корректор Л. Патай

Редактор О. Филиппова

Заказ 1648/3 Тираж 731 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, .Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение касается регистрации заряженных частиц, обработки информации, полученной от этих частиц, и может найти применение в экспериментальной ядерной физике, особенно при 5 проведении экспериментов в условиях космического пространства, а также в космической медицине.

Известен способ снятия фоновых эагрузок с ядерных эмульсий, основан- 10 ный на методике физического проявления, суть которого состоит в изменении концентрации ионов серебра в растворе проявителя таким образом, что проявляются только крупные центры— следы сильно ионизирующих частиц.

Однако такой способ снятия фоновых загрузок методом избирательного физического проявления не может найти применения при обработке эмульсионных камер, состоящих из большого количества слоев в силу специфики обработки, дороговизны и сложности реализации.

Целью изобретения является обеспечение полного снятия фона легких частиц по сравнению с сохраняемыми следами тяжелых частиц.

По предложенному способу толстослойную ядерную эмульсию любого типа вымачивают в воде при 10-25 С в тече-. ние 90-50 с сродственно, что повышает . ее влажность на 8-9Х. После этого ее обсушивают фильтровальной бумагой, 1 подвергая 30-60 с воздействию импульсного электрического поля со следующими параметрами: напряженность

10 в/см (с учетом диэлектрической проницаемости бромистого серебра); частота следования 100-300 имп/мин при длительности импульсов 5-70 мкс, после чего эмульсия готова к экспонированию.

После экспонирования влажной эмульсии любым способом ее выдерживают в течение 1-2 сут для полного снятия гамма-.и релятивистского фона и соответственно более длительное время — для снятия фона тяжелых частиц.

Затем эмульсию обрабатывают по химическому способу проявления.

Предложенный способ практически полностью снимает со слоев фоновые загрузки любой плотности вплоть до

10 4частиц/см и более от гамма-излучения, медленных электронов и всех релятивистских частиц, оставляя лишь необходимую информацию — следй более тяжелых частиц (начиная с альфачастиц). Он прост в осуществлении,не требует специальных сложных установок, пригоден для любого количества слоев различной толщины и в отличие от физического способа проявления более выгоден, так как не требуется применение дорогостоящих растворов солей золота и серебра.

Способ снятия фоновых загрузок с толстослойных ядерных эмульсий Способ снятия фоновых загрузок с толстослойных ядерных эмульсий 

 

Похожие патенты:

Способ определения энергетического порога чувствительности ядерной эмульсиипри известных способах оценки значения энергетического порога чувствительности фотоэмульсий по средней плотности проявленных зерен на следе частицы с определенной ионизирующей снособиостью онираются на 5 произвольные предложения о величине флюктуации в передаче энергии частицей мнкро- 'кристаллу agbr. это не дает возможности быть уверенным в достоверности способов.по предлагаемому способу можно прямо 10 'получить кривую распределения лппфокрнсталлов agbr ядерной эмульсии по их чувствительности.способ основан на изучении фотографической эффективности результата попадания в 15 микрокристалл отдельного электрона известной энергии, тормозяи1.егося внутри мнкрокристалла до остановки. при этом миниг^итльная энергия электро]1а, которая сообщает микрокристаллу способность к проявлению может 20 быть отождествлена с чувствительностью микрокристалла.заключается способ в том, что на однослойном препарате исследуемой эмульсии экспонируют под электронным пучком последова- 25 тельность полей, отличающихся энергией электронов, но при постоянстве экспозиций. после нроявления препарата определяют плотность проявленных зерен в полях облучения и строят зависимость выхода нроявлен- 30 ных зерен от энергии электронов.нов выбирают такими, чтобы можно было пренебречь вероятностью кратных попаданий электронов в микрокристалл и выходом электронов за пределы микрокристаллов. этим условиям соответствуют экспозиции 0,1—0,2 электрона на микрокристалл и эпергия электронов при экспозиции, не превыщающая 2000 эв (максимальиый пробег в agbr~ -^10^0 см).тогда нолучеииая зависимость выхода проявленных зерен от энергии электронного пучка будет показывать долю микрокристаллов с норого>&.! чувствнтельности не выще заданного значення энергии, а дифференцированная кривая — распределенне микрокристаллов по чувствительности.предмет изобретенияспособ онределення энергетического порога чувствительности ядерной эмульсни по плотности проявленных зерен, находящихся в ноле облучення, отличающийся тем, что, с целью нолучення сведеннй о распределепи'и мнкрокрнсталлов agbr по чувствительности, изучают выход проявленных зерен на последовательности полей однослойного препарата, экспонированных npii постоянной экспозиции электронами с различной энергней в условнях эксноннровання, когда вероятность кратных попаданнй электронов в микрокристалл и выход электронов за нределы микрокристалла нренебрежимо малы. // 172407
Изобретение относится к ядерной физике и может быть использовано в экспериментах на ускорителях
Изобретение относится к ядерной физике и может быть использовано при регистрации заряженных частиц на ускорителях
Изобретение относится к ядерной физике и может быть использовано в экспериментах с применением твердотельных трековых детекторов
Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для плавки в вакуумно-дуговых печах слитков из титана и его сплавов, легированных изотопом углерод-14, в частности для проведения авторадиографических исследований
Наверх