Способ контроля качества полупроводниковых приборов

О П И С А Н И Е (i<) 438947

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (01) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 07.09.72 (21) 1825764/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.08.74. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 13.01.75 (51), М. Кл. G Olr 31/26

Н 01L 19/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений в открытий (53) УДК 621.382(002) (088.8) (72) Автор изобретения

Е. И. Модель (71) Заявитель (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Предмет изобретения

Изо6ретение относится к способам контроля качества кремниевых полупроводниковых приборов.

Известны способы контроля качества .полупроводниковых приборов с помощью климатических испытаний.

Известные способы не позволяют точно прогнозировать параметрические отказы приборов, потому что испытание при повышенной температуре предшествует испытанию при,пониженной температуре, а при воздействии повышенной температуры происходит временной отжиг дефектов, определяющих параметрические отказы приборов в холоде и при длительной эксплуатации.

Целью изобретения является повышение эффективности прогнозирования отказов при длительной эксплуатации приборов.

Эта цель достигается благодаря тому, что климатические испыта|ния начинают с испытания на холодостойкость, причем приборы выдерживают при температуре — 60 С в течение нескольких (порядка шести) часов, после чего измеряют их электрические параметры при любой температуре.

Во избежание потери информации î возможных отказах начинают испытания с воздействия холодом, поскольку пониженная температура является форсирующим фактором для ускоренного выявления основной массы параметрических отказов приборов, обусловленных инверсионными слоями и каналами с близкой к нулю энергией активизации.

Выдержку в камере холода предлагается проводить в ужесточенном временном и электрическом режимах (в течение нескольких часов при предельно допустимой по напряже10 нию электрической нагрузке, так как наличие электрического поля может явиться дополнительным фактором, ускоряющим выявление скрытого брака на «холоде»).

Способ контроля качества полупроводниковых приборов с помощью климатических ис20 пытаний на холодо- и теплостойкость, отлич а ю шийся тем, что, с целью повышения эффективности прогнозирования отказов, климатические испытания начинают с испытаний на холодостойкость, причем приборы выдер25 живают при температуре — 60 С в течение нескольких часов, после чего измеряют их электрические параметры при этой температуре.