Устройство для разбраковки полупроводниковых приборов по импульсным параметрам

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ii> 438944

Союэ Советских

Социалистических

Респубпик (6I) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 03.01.73 (21) 1866107/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.08.74. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 27,01.75 (51) М. Кл. G Olr 31/26

Гасударственный камитет

Саеета Министрае СССР аа делам изаеретений и аткрытий (53) УДК 621 382 2 (088.8) (72) Автор изобретения

В. Г. Грибачев (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ ПО ИМПУЛЪСНЫМ ПАРАМЕТРАМ

Изобретение относится к устройствам для измерения импульсных параметров полупроводниковых приборов в режиме феррит-транзисторной ячейки (ФТЯ).

При производстве транзисторов для ФТЯ измеряемыми импульсными параметрами являются . длительность нарастания импульса коллекторного тока 4, длительность вершины импульса коллекторног тока 1„и длительность спада импульса коллекторного тока 4уу.

Разбраковку полупроводниковых приборов по импульсным параметрам можно осуществить посредством измерения параметров и оценки их оператором. Такая разбраковка малопроизводительча, неточна и не поддается автоматизации.

Целью изобретения является автоматизация процесса разбраковки транзисторов по импульсным параметрам, обеспечивающая высокую точность и производительность.

Поставленная цель достигнута использованием дешифратора, входы которого соединены с выходами амплитудных квазиселекторов, а выход соединен с индикатором и коммутатором базовых резисторов.

На чертеже приведена блок-схема предложенного устройства для разбраковки полупроводниковых приборов.

Устройство работает следующим образом.

ФТЯ на испытуемом транзисторе 1 выдает трапециевидные импульсы, параметры которых зависят от переключаемых сопротивлений в цепи базы испытуемого транзистора. Эти

5 трапециевидные импульсы поступают на дифференцирующие цепи 2, 3 и ограничитель 4.

С выхода дифференцирующей цепи 2 импульсы, амплитуда которых пропорциональна 4, поступают на усилитель 5 и затем на квази10 селектор 6. Если t, соответствует заданной длительности фронта, на дешифратор 7 подается сигнал о годности данного транзистора по т,.

С выхода дифференцирующей цепи 3 им15 пульсы, амплитуда которых пропорциональна 4уу, инвертируются и поступают на усилитель 8, а затем на квазиселектор 9. Если 1,1у соответствует заданной длительности спада, на дешифратор подается сигнал о годности

20 данного транзистора по аут.

При разбраковке транзисторов по t„ трапециевидные импульсы ограничиваются снизу на уровне 0,9 U ограничителем 4. С выхода ограничителя 4 трапециевидные импульсы, 25 длительность которых равна t„, подаются на триггер Шмидта 10 для преобразования в прямоугольные импульсы длительностью

Эти импульсы управляют генератором пилообразного напряжения 11. Для увеличения

30 разрешающей способности устройства. Пило438944

Составитель В. Немцев

Техред Л. Акимова

Корректор Л, Орлова

Редактор T. Орловская

Заказ 3706/19 Изд. Мю 134 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 образные импульсы, амплитуда которых пропорциональна 1„, ограничиваются снизу ограничителем пилообразных импульсов 12. Затем эти импульсы усиливаются усилителем 13 и поступают на амплитудный квазиселектор 14.

Если величина 1„соответствует заданной величине длительности вершины, на дешифратор 7 поступает сигнал о годности транзисто:ра по

Если величины параметров 1,„, 4, и 4 7 соответствуют заданным, индикатор 15 в зависимости от сопротивления в цепи базы фиксирует группу прибора. Синхронно с выключателем сопротивлений в цепи базы испытуемого транзистора ФТЯ коммутируется и цепь индикатора 15. После нахождения сопротивления, при котором параметры 4ж, spy u fpff соответствуют заданным, переключатель сопротивлений 1б останавливается.

Пределы разбраковки установки задаются опорными напряжениями компарторов амплитудных квазиселекторов, Количество амплитудных квазиселекторов зависит от числа

5 диапазонов параметров 4, 4, и 4 у.

Предмет изобретения

Устройство для разбраковки полупроводниковых приборов по импульсным параметрам, 10 содержащее преобразователь длительности импульса в амплитуду, преобразователь фронта импульса в амплитуду, преобразователь спада импульса в амплитуду и амплитудные квазиселекторы, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, 15 с целью -автоматизации процесса измерений, оно содержит дешифратор, входы которого соединены с выходами амплитудных квазиселекторов, а выход соединен с индикатором и коммутатором базовых резисторов.

Устройство для разбраковки полупроводниковых приборов по импульсным параметрам Устройство для разбраковки полупроводниковых приборов по импульсным параметрам 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх