Способ шлифовки монокристалловс алмазоподобной кристаллическойрешеткойвп тбфонд 3hoileptq8i

Авторы патента:

H01L21/304 - механическая обработка, например шлифование, полирование, резка

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и) 435925

Союз Советеких

Социалистимеских

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 29.11.72 (21) 1851442/29-33 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 15.07.74. Бюллетень № 26

Дата опубликования описания 30.12.74 (51) М. Кл. В 24b 7/22

Н Oll 7/б4

Государственный комитет

Совета Министров СССР ао делам изобретений и открытий (53) УДК 679.8.052 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. И. Пекарев, А. С. Ушаков, A. Н. Катюков и Ю. Д. Чистяков

Московский институт электронной техники (71) Заявитель (54) СПОСОБ ШЛИФОВКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ

С АЛМАЗОПОДОБНОй КРИСТАЛЛИЧЕСКОИ

РЕШЕТКОЙ

Изобретение относится к технологии шлифовки и механической полировки монокристаллов с алмазоподобной кристаллической решеткой. С пособ может быть использован для подготовки монокристаллических подло- 5 жек, идущих на изготовление полупроводниковых приборов, а также для изготовления ювелирных изделий из алмазов.

Известен способ шлифовки монокристалловс алмазоподобной кристаллической решеткой 10 путем |перемещения образцов монокристаллов относительно шлифовальника. Чтобы съем материала происходил равномерно необходимо периодически прекращать шлифовку для поворота подложек на определенный угол. Од- 15 пако полностью исключить отклонение от прямолинейного направления шлифовки и нера!вномерность съема материала невозможно.

Цель изобретения вЂ” улучшение качества поверхности и повышение скорости шлифова- 20 ния.

Достигается это тем, что перемещение образцов относительно шлифовальника осуществляют поступательно по замкнутому иного- 25 угольнику, стороны которого совпадают с данным семейством кристаллографических направлений.

Способ кристаллографической шлифовки и и полировки обеспечивает необходимое пря- 30 молинейное движение с .периодическим поворотом на заданный угол без отрыва подложек от шлифовальника.

Способ шлифовки состоит в том, что подложка движется лоступательно относительно шлифовальника по многоугольнику. Каждая сторона многоугольника вЂ” это кристаллографическое направление (UVW), входящее в семейство заданных направлений (UVW).

При этом есе точки поверхности подложки шлифуются кристаллографически одинаково.

Например, для подложки, ориентированной поверхностью по (III), задано направление шлифовки (110). Тогда стороны правильного шестиугольника идут в последовательности (101), (110), (Oll), (101), (110) и (011), так как в алмазоподобной кристаллической решетке в плоскости (111) существует шесть перечисленных выше одинаковых по свойствам направлений (110). Другие семейства направлений в этой же плоскости могут составить шестиугольники или треугольники. Поступательное относительное движение по замкнутому многоугольнику может быть осуществлено так, чтобы образцы или шлифовальник был и Н0подвижны.

Способ позволяет проводить высокопроизводительную шлифовку или полировку без осгановки процесса.

435925

Предмет изобретения

Составитель А. Гончаров

Техред Е. Борисова Корректор Л. Царькова

Редактор Э. Шибаева

Заказ 3518, 2 Изд. ЛЪ 1874 Тираж 875 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ шлифовки монокристаллов с алмазоподобной кристаллической решеткой путем перемещения образцов относительно шлифовальника, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности, и по4 вышения скорости шлифования, перемещение образцов относительно шлифовальника осущест вляют поступательно:по замкнутому многоугольнику, стороны которого совпадают с данным семейством кристаллографических напра влен ий.

Способ шлифовки монокристалловс алмазоподобной кристаллическойрешеткойвп тбфонд 3hoileptq8i

Патент 355758 // 355758

Способ механической обработки слитка полупроводникового материала // 307445

Устройство для стабилизации положения алмазных отрезных кругов // 255386

Установка для разламывания проскрайбированных полупроводниковых пластин // 233104

Способ разламывания проскрайбированных полупроводниковых пластин // 208135

Устройство для обработки кромок пластин // 2109370

Способ резки полупроводниковых монокристаллов на пластины // 2137251

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полированных пластин из полупроводниковых материалов

Способ одновременной обработки кромок пластин и устройство для его осуществления // 2143156

Устройство для снятия фаски при финишной обработке полупроводниковых пластин // 2163408

Устройство для снятия фаски при финишной обработке полупроводниковых пластин // 2168796

Абразив из оксида церия и способ полирования подложек // 2178599

Изобретение относится к абразиву из оксида церия и способу полирования подложек

Способ резки объемных монокристаллов карбида кремния // 2202135

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения

Способ позиционирования пластин из полупроводниковых материалов в координатной системе отсчета установки для абразивной резки пластин на "чип"ы // 2220474

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологиях изготовления как дискретных полупроводниковых приборов, так и интегральных микросхем в процессе позиционирования исходных полупроводниковых пластин-подложек (например, на основе монокристаллического кремния) перед операцией их разделения на отдельные структуры ("ЧИП"ы)

Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин // 2224330

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ получения пластин для солнечных элементов из мультикристаллического кремния // 2231867

Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей солнечной энергии, в частности к получению пластин из мультикристаллического кремния для изготовления солнечных элементов (СЭ)