Устройство для измерения параметров транзисторов
(i » 425I39
Союз Советских
Социалистических
Реюу6ттик
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ! (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 24.07.72 (21) 1813921/26-25 (5)) )М. Кл. 6 01г 31i26 с присоединением заявки ¹â€”
Государстееннн ;й комитет
Совета Министров .ббр па делам изобретений и открытий (32) Приоритет—
Опубликовано 25.04,74. Бюллетень .м 15
Дата опубликования описания 15.11.74 (53) УДК 621.382.3 (088.8) (72) Авторы изобретения
В. И. Прашек и М. Ф. Колпакчи (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ
ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ
Изобретение относится к технике измерения транзисторов в .динамическом режиме.
Известно устройство для измерения параметров транзисторов в динамическом режиме, содержащее генератор, формирователь тестового сигнала с подключенным к его выходу задающим базовый ток резистором и нагрузкой в цепи коллектора измеряемого транзистора, состоящей .из двух последовательно соединенных резисторов, к средней точке которых подключен источник опорного напряжения.
Однако при .использовашш известного устройства не может быть обеспечена высокая точность измерепия параметров транзисторов.
Цель изобретения — повышение точности и расширение пределов измерения.
Это достигается тем, что резисторы коллекторной нагрузки включены между коллекторным выводом тт шиной «земля», средняя точка между резисторами коллекторной нагрузки соединена через первый переключатель, например поляризованное реле, с выходом формирователя, а эмиттерпый вывод через первый и второй переключатель соединен с выходом формирователя или шиной «земля».
На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства.
Устройство состоит из генератора 1, формирователя 2 тестового сигнала, резистора 8, включенного между выходом 4 формирователя 2 и базовым выводом 5,измеряемого транзистора 6, резисторов 7 и 8, включенных последовательно между коллекторным выводом
9 и шиной «земля», ключей 10 и 11, элементов
12 и 18 управления ключами.
Устройство работает следующим образом.
Тестовый сигнал на выходе 4 формирователя 2 имеет форму двухполярных прямоугольных импульсов. Импульсы положительной полярности поступают на токозадающий базовый резистор 8, на элементы 12 и 18 управления ключами. При этом ключ 10 соединяет выход 4 со средней точкой коллекторных резисторов 7, 8, а ключ 11 — эмиттерный вывод с «землей». Транзистор 6 открывается.
Ток коллектора транзистора определяется резистором 7. Тестовые импульсы отрицательной полярности поступают на те же элементы.
При этом ключ 11 отключает эмиттсрный вывод 14 от «земли», а ключ 10 отклю гает вывод
4 от средней точки коллекторной нагрузки и подключает его к эмиттерному выводу 14.
Транзистор 6 закрыт. Выходной сигнал, снп25 маемый с коллекторного вывода 9 еизмеряемого транзистора 6, представляет собой двухполярные импульсы. Амплитуда положительной полярности выходных импульсов равна напряжению насыщения измеряемого транзистора.
30 Амплитуда отрицательной полярности выход425139
Предмет изобретения
Составитель В. Немцов
Техред Е. Борисова
Гедактор А. Батыгин
1(орректор В. Гутман
Зак з 1679/536 Изд. ¹ 842 Тираж 678 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушскаи наб., д. 4/5
Тип. Харьк. фил. пред. «Патент». ных импульсов равна падению напряжения на резисторах 7 и 8 от остаточного тока закрытого измеряемого транзистора 6.
В предлагаемом устройстве выходные сигналы, соответствующие параметрам открытого и закрытого транзистора, отсчитываются от нулевого уровня, что позволяет применять измерительные средства с большим усилием. За счет этого точность измерения параметров в предлагаемом устройстве повышается.
В устройстве разделенная коллекторная нагрузка (резисторы 7 и 8) позволяет, изменяя величины сопротивлений резисторов 7 и
8, отдельно задавать ток коллектора (резистором 7) открытого транзистора и падение напряжения от протекающего остаточного тока закрытого транзистора (резистором 8).
Устройство для измерения параметров транзисторов, содержащее генератор, формирователь тестового сигнала с подключенным к его выходу задающим базовый ток резистором и последовательно соединенные резисторы нагрузки в цепи коллектора испытуемого транзистора, отличающееся тем, что, с целью
10 повышения точности и расширения пределов измерения параметров, резисторы коллекторной нагрузки включены между коллекторным выводом и шиной «земля», средняя точка между резисторами коллекторной нагрузки соединена через переключатель, например поляризованное реле, с выходом формирователя, а эмиттерный вывод через первый и второй переключатель соединен с выходом формирователя или шиной «земля».

