Патент ссср 413441
ОП ИСАНИ Е
ИЗО6РЕТ ЕН И Я
К АВХОРСИОМУ СВИДЕвЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 28.1Х.|972 (№ 1831689/26-9) М. Кл. G 01г 31/22
H 054 13/00 с присоединением заявки №
Гасударственный комитет
Совета Министров СССР ао делам изооретений и открытий
Приоритет
Опубликовано 30.1.1974. Бюллетень ¹ 4
Дата опубликования описания 21Х.1974
УДК 621.396.6.002.7 (088.8) Авторы изобретения (QIl; TБ !
H. Н. Воробьев и Ю. С. Клейнфельд
Заявитель
СПОСОБ ЭЛЕКТРОТРЕНИРОВКИ МАЛОМОЩНЪ|Х
ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Изобретение относится к области радиотехники.
Известны способы электротренировки маломощных планарных транзисторов, основанные на пропускании через транзистор постоянного тока повышенной плотности.
Цель изобретения — повышение стабильности коэффициента передачи тока.
Для этого по предлагаемому способу постоянный ток пропускают через прямосмещенный эмиттерный переход без подключения коллектора при максимально допустимой для данного типа транзистора окружающей темпер атуре.
Предлагаемый способ заключается в следующем.
Для конкретного транзистора устанавливается повышенная величина постоянного тока, который можно пропускать через прямосмещенный эмиттерный переход без внесения нарушений в структуру прибора. Для маломощных планарных ВЧ и СВЧ транзисторов максимально допустимыми постоянными токами могут быть токи порядка 50 — 150 ма. Плотчость тока при этом достигается порядка
10З вЂ” 10" А/см
Тренируемый транзистор включается в диодный режим таким образом, что эмиттерный переход смещается в прямом направлении, а коллекторный электрод остается неподключе шым. Это позволяет получить поток носителей заряда вбл. зн гэверхности базы повышенной плотности.
Транзистор помещается в термостат, где устанавливается максимально допустимая окружающая температура: для кремниевых прибсров 120 — 150 С, для германиевых 70—
10 80 С. От гепера",ора постоянного тока через эмиттерный переход пропускается ток установлен:*,îII величины. В таком режиме тран:-пстор выдерживается в течение нескольких часов. Точное необходимое время выдержки
15 устанавливается экспериментально для конкретного прибора.
Предмет изобретения
Способ электротренировки маломощных
20 планарных транзисторов, основанный на пропускании через транзистор постоянного тока повышенной плотности, отличающийся тем, что, с I c,". -:о повышения стабильности коэффициент передачи тока, постоянный ток
25 пропускают через прямосмещенный эмиттерный переход без:-одключеппя коллектора при максимально допустимой для данного типа транзистора окружающей температуре.