Электрическое устройство
Е 40938О
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. cBèäåòåëüñòâà ¹â€”
Республик
М.Кл. Н 03k 19/08
Заявлено 12.IV.1968 (№ 1232862/26-9) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет 15.11/.i967, № 21а /124Р32, ГДР
Опубликовано ЗО.XI.1973. Бюллетень № 48 УДК 621.374.33 (088.8)
Дата опубликования описания 26.IX.74
Государственный комитет
Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий
Автор изобрстошгя
Иностранец
Дитрих Армгарт (Горманокая Демократическая Республика) ая;витель
ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО
Известны электрические устройства, например для реализации логических функций, выполненные в моноблоке полупроводниковой структуры.
Цель изобретения — повышение скорости передачи транзитных сигналов и улучшение развязки между входными и выходными цепям и.
Это достигается тем, что в предлагаемом устройстве коллекторы параллельно соединенных входных транзисторов подключены к коллектору и одной части эмнттеров многоэмнттерного транзистора, вторая часть эмиттеров которого подключена к выходным цепям непосредственно и через днодь1 к коллекторам входных транзисторо», а эмиттерныс области многоэмиттерпого транзистора окружены рамкой из высоколегированного материала с акцепторной примесью, соединенной с
его коллектором.
На фиг. 1 изображена принципиальная схсма элемента; на фнг. 2 — его конструктивное выполнение.
К зажимам 1, 2 и 8 подключены входные цепи; зажимы 1, 2 IH 8 соединены с базами входных транзисторов 4, 5 и 6.
Эмиттсры транзисторов 4, 5 и б подключены к зажиму 7 источника питания. Коллекторы параллельно соединенных транзисторов 4, 5 и 6 соединены с общим зажимом 8, и которому подключены коллектор 9 многоэмнттерного транзистора 10 и часть его эмиттеров 11. Вторая часть эмиттеров 12 транзистора 10 непосредственно соединена с зажимами 18, 14 и15 выходных цепей и через диоды 16 с общи л -ажимом 8.
База 17 транзистора 10 через резистор 18 подключена ко второму заж иму 19 источника пита н,ия.
Для подключения коллекторов дополнительных входных транзисторов (па чертеже Hc Ноказаны) в схеме предусмотрен зажим 20, соедпненньш с зажимом 8. В качестве эмиттеров используется полупроводниковая область
21 Л + полупроводникового моноблока 22, окруженная рамкой 28 пз высоколегированного материала с акцепторной примесью и соеднпенная с коллектором 9.
Область 24 с проводимостью типа P используется в качестве базы 17 транзистора 10.
Роль коллекторов 9 выполняют области 25 (Л +).
Одновременно области 25 служат эмиттерами 12, а область 24 — базой вспомогательных
25 транзисторов 26.
Входные транзисторы 4, 5 и 6 образованы ооластями 27 (М, Л -).
Сигнал, поступая на один из зажимов 1, 2:t
3, управляет соответствующим входным транЗО зистором 4, ":и 6.
409380
+ac 1
15 22
Фиг 2
Составитель В. Верченко
Техред 3. Тараненко
Корректор Н. Аук
Редактор E. Караулова
Заказ 1806 Изд. ¹ 11! 1 Тираж 768 Подписш>е
ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Мнш>строп СССР по делам изобретений и открытий
Москва, 7К-35, Рамшская наб., д. 4/5
Обл. тпп. Кострогяского управления издательств, полигра >пи и книжной торговли
Нагрузкой этих транзисторов является последовательно включенные резистор 18 и коллекторно-базовый переход транзистора 26.
Потенциал на зажимах 1, 3 и 14, 15 примерно равен потенциалу зажима 8. При подаче сигнала «О» закрываются транзисторы 4, 6 и 6, и ток через коллекторно- базовый переход транзистора 26 не протекает.
Ток от источника питания, подключенного к зажиму 19, протекает через резистор 18 н эмиттерно- базовый переход транзистора 26 к соответствующей выходной цепи.
Предмет изобретения
Электрическое устройство, например для реализации логических функций, выполненное в моноблоке полулроводниковой структуры, содержащее резистор, т>ра нзисторы, многоэмиттерный транзистор и диод, отличающееся тем. что, с целью повышения окорости передачи з>ранзитных сигналов и улучшения развязки между входными и выходными цепями, коллекторы параллельно соединенных входных транзисторов подключены к коллектору и одной части эмиттеров многоэмиттерного транl0 зистора, вторая часть эмиттеров которого подключена к выходным цепям непосредственно и через диоды к коллекторам входных транзисторов, а эмиттерные области многоэмиттерного транзистора окружены рамкой из высоко15 легированного материала с акцепторной примесью, соединенной с его коллектором.
